Pierre Corbeil
EDN
Для усилителей класса B характерны искажения типа «ступенька», возникающие в выходном каскаде, когда закрывается один транзистор и открывается другой. Для исключения таких искажений через оба транзистора должен протекать общий ток смещения, не позволяющий транзисторам в переходной области выключаться одновременно. Работа обычных цепей смещения основана на поддержании постоянной разности потенциалов между базами двух транзисторов. Требующие частой ручной подстройки, эти цепи в отсутствие сигнала поддерживают базовые напряжения двух транзисторов на границе порога включения. Такие схемы чувствительны к температуре и требуют определенной компенсации для предотвращения теплового пробоя, который может привести к повреждению схемы. На Рисунке 1 показан подход, в котором указанная проблема решается цепью автоматического смещения.
![]() |
||
Рисунок 1. | Протекая через транзисторы Q1 и Q2, ток смещения не позволяет им закрываться одновременно. |
В этом усилителе класса B ток смещения в режиме ожидания при отсутствии сигнала устанавливается резистором R1. Ток эмиттера IE транзистора Q3 равен
где
VCC – напряжение источника питания,
VBIAS – постоянное напряжение на эмиттерах транзисторов Q1 и Q2,
VBEQ3 – напряжение база-эмиттер транзистора Q3,
VBEQ1 – напряжение база-эмиттер транзистора Q1.
Q1 и Q2 зеркально отражают этот ток, поскольку через Q1 и Q3 течет тот же базовый ток, что и через Q2 и Q4. Если предположить, что четыре транзистора идеально подобраны по параметрам и их базовые и коллекторные токи строго одинаковы, то эмиттеры Q1 и Q2 будут точно отражать ток резистора R1.
Однако в этой схеме согласования параметров транзисторов не требуется. Если транзисторы не согласованы, либо Q3, либо Q4 будут находиться в насыщении, и ввиду того, что эффект отражения зависит от коэффициентов передачи тока транзисторов hFE, различие токов смещения Q1/Q2 и тока резистора R1 может быть значительным. Схема автоматически подстраивает напряжение на конденсаторе C2 таким образом, чтобы компенсировать температурные изменения и производственный разброс характеристик транзисторов.
При наличии сигнала коэффициент усиления тока равен величине hFE выходного транзистора Q1 или Q2 (точно так же, как в классическом усилителе класса B). Во время положительной полуволны сигнала ток нагрузки проходит через транзистор Q1. Поскольку ток базы при этом увеличивается, Q3 входит в насыщение. Во время отрицательной полуволны сигнала ток нагрузки проходит через Q2, а насыщается транзистор Q4.
|
||||||
Рисунок 2. | Во время положительной полуволны сигнала ток в нагрузку течет из транзистора Q1 через конденсатор C1 (а), Во время отрицательной полуволны ток течет через транзистор Q2 (б). |
На Рисунке 2 показан путь прохождения сигнала переменного тока. Максимальный средний ток нагрузки IL равен току холостого хода, умноженному на коэффициент передачи тока транзистора Q1 и на два. Операционный усилитель должен быть способен отдавать в Q2 необходимый базовый ток IB:
![]() |
||
Рисунок 3. | Типичное применение схемы класса B в качестве усилителя наушников. |
В типичном приложении такой усилитель класса B может отдавать 0.25 Вт в нагрузку 8 Ом (Рисунок 3). На Рисунке 4 изображен график общих гармонических искажений, измеренных в полосе частот от 45 Гц до 50 кГц при входном сигнале 1 В с.к.з. и сопротивлении нагрузки 8 Ом.
![]() |
||
Рисунок 4. | Результаты измерения нелинейных искажений в схеме на Рисунке 3. |