Внешние компоненты обеспечивают истинное выключение повышающего преобразователя

Журнал РАДИОЛОЦМАН, февраль 2018

Navid Mostafavi

EDN

Использование схемы импульсного повышающего преобразователя, изображенной на Рисунке 1, связано с одной проблемой, хорошо знакомой всем разработчикам. Если выключить микросхему повышающего преобразователя IC₁ низким уровнем напряжения на входе /SHDN, внешний дроссель L₁ и смещенный в прямом направлении диод Шоттки D₁ продолжат пропускать ток. Для приложений с батарейным питанием это будет чрезмерной нагрузкой (например, 300 мА), которая быстро разрядит батарею. Проблему возникновения нежелательного пути тока при выключении схемы можно решить добавлением N-канального MOSFET Q₁ и 100-килоомного резистора R₁. Получившуюся схему можно использовать в тех приложениях, где питанием системы управляет микроконтроллер.

Рисунок 1.	Добавление резистора R1 и MOSFET Q1 к этой схеме повышающего преобразователя позволяет обеспечить «истинное» выключение сигналом /SHDN, блокирующее путь протекания тока на время останова микросхемы IC1.

Низкий логический уровень на входе /SHDN одновременно выключает импульсный преобразователь MAX756 и закрывает MOSFET, отрывая нагрузку от земли и, таким образом, блокируя путь прохождения тока. После снятия сигнала /SHDN 100-килоомный подтягивающий резистор включит MOSFET, подняв потенциал его затвора. Работа схемы повышающего преобразователя будет разрешена, и вновь подключенная к земле нагрузка начинает пропускать ток.

Для получения оптимальных результатов при больших токах нагрузки в качестве Q₁ используйте MOSFET с логическим уровнем управления и достаточно низким сопротивлением открытого канала. Пробивное напряжение сток-исток транзистора должно как минимум вдвое превышать максимальное ожидаемое выходное напряжение повышающего преобразователя. При необходимости можно снизить эффективное сопротивление открытого канала MOSFET, включив два или более транзистора параллельно.

Материалы по теме