Datasheet ON Semiconductor BSS123−G — Даташит
| Производитель | ON Semiconductor |
| Серия | BSS123 |
| Модель | BSS123−G |
N-канальный режим повышения логического уровня Полевой транзистор 100 В, 170 мА, 6 Ом
Datasheets
Datasheet BSS123
PDF, 202 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2022, Страниц: 7
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Выписка из документа
Цены
 Купить BSS123−G на РадиоЛоцман.Цены — от 0.11 до 74 ₽61 предложений от 32 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 100Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0,17Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 6000Емкость, пФ:... | |||
| BSS123 Hottech | 0.11 ₽ | ||
| BAT54C, KL3, BAT54S, KL4, BAT54, KL1, BAT54A, KL2, BSS138, J1, BSS84, PD BSS123, SA, bab99, A7, BAW56, A1, bab70, A4, BAS16, A6, SOT-23 | 0.32 ₽ | ||
| BSS123 Keen Side Electronics | 0.79 ₽ | ||
| BSS123-7-F Diodes | от 11 ₽ | ||
Подробное описание
Этот N-канальный полевой МОП-транзистор изготовлен с использованием запатентованной технологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Этот продукт был разработан для минимизации сопротивления во включенном состоянии, обеспечивая при этом прочные, надежные и быстрые характеристики переключения. BSS123 особенно подходит для приложений с низким напряжением и малым током, таких как управление небольшим серводвигателем, силовые драйверы затворов MOSFET и другие приложения переключения. .
Модельный ряд
Серия: BSS123 (2)
- BSS123 BSS123−G
Классификация производителя
- Discrete & Power Modules > MOSFETs
