Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheets

Поиск по картинке: Поиск по картинке
Найдено: 75 Вывод: 1-20

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet PHT4NQ10T - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 3.5 А, SOT223
    Наименование модели: PHT4NQ10T Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 3.5 А, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PHT4NQ10T TrenchMOSTM standard level FET M3D087 Rev. 02 -- 2 May 2002 Product data ...
  2. Datasheet PBSS304PZ - NXP Даташит TRANS, PNP, 60 В, 4.5 А, L SAT, SOT223
    Наименование модели: PBSS304PZ Производитель: NXP Описание: TRANS, PNP, 60 В, 4.5 А, L SAT, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PBSS304PZ 60 V, 4.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 -- 8 December 2009 Product data sheet ...
  1. Datasheet PMT29EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6 А, SOT223
    Наименование модели: PMT29EN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6 А, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T2 PMT29EN 30 V, 6 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 31 August 2011 Product data ...
  2. Datasheet PMT21EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 7.4 А, SOT223
    Наименование модели: PMT21EN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 7.4 А, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T2 PMT21EN 30 V, 7.4 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 30 August 2011 Product ...
  1. Datasheet PBSS304NZ - NXP Даташит TRANS, NPN, 60 В, 5.2 А, L SAT, SOT223
    Наименование модели: PBSS304NZ Производитель: NXP Описание: TRANS, NPN, 60 В, 5.2 А, L SAT, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PBSS304NZ 60 V, 5.2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 -- 20 November 2009 Product data ...
  2. Datasheet PBSS303NZ - NXP Даташит TRANS, NPN, 30 В, 5.5 А, L SAT, SOT223
    Наименование модели: PBSS303NZ Производитель: NXP Описание: TRANS, NPN, 30 В, 5.5 А, L SAT, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PBSS303NZ 30 V, 5.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 -- 20 November 2009 Product data ...
  3. Datasheet PBSS301NZ - NXP Даташит TRANS, NPN, 12 В, 5.8 А, L SAT, SOT223
    Наименование модели: PBSS301NZ Производитель: NXP Описание: TRANS, NPN, 12 В, 5.8 А, L SAT, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PBSS301NZ 12 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 -- 17 November 2009 Product data ...
  4. Datasheet ZXMS6006SGTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, ESD, 60 В, 2.8 А, SOT223
    Наименование модели: ZXMS6006SGTA Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, N CH, ESD, 60 В, 2.8 А, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: A Product Line of Diodes Incorporated ZXMS6006SG 60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ...
  5. Datasheet ZXMS6006DGTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, ESD, 60 В, 2.8 А, SOT223
    Наименование модели: ZXMS6006DGTA Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, N CH, ESD, 60 В, 2.8 А, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: A Product Line of Diodes Incorporated ZXMS6006DG 60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ...
  6. Datasheet ZXMS6005SGTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт ESD, 60 В, 2 А, SOT223
    Наименование модели: ZXMS6005SGTA Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт ESD, 60 В, 2 А, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: A Product Line of Diodes Incorporated ZXMS6005SG 60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ...
  7. Datasheet ZXMS6005DGTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт ESD, 60 В, 2 А, SOT223
    Наименование модели: ZXMS6005DGTA Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт ESD, 60 В, 2 А, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: A Product Line of Diodes Incorporated ZXMS6005DG 60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ...
  8. Datasheet PHT6NQ10T - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, SOT223
    Наименование модели: PHT6NQ10T Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOSTM transistor PHT6NQ10T ...
  9. Datasheet BSP250 - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 3 А, SOT223
    Наименование модели: BSP250 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 3 А, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSP250 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor ...
  10. Datasheet PHT6NQ10T,135 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, 4-SOT-223
    Наименование модели: PHT6NQ10T,135 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, 4-SOT-223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOSTM transistor ...
  11. Datasheet PHT4NQ10T,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223
    Наименование модели: PHT4NQ10T,135 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PHT4NQ10T TrenchMOSTM standard level FET M3D087 Rev. 02 -- 2 May 2002 Product data ...
  12. Datasheet PHT4NQ10LT,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223
    Наименование модели: PHT4NQ10LT,135 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PHT4NQ10LT N-channel enhancement mode field-effect transistor M3D087 Rev. 01 -- 11 ...
  13. Datasheet BUK9840-55 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 55 В SOT223
    Наименование модели: BUK9840-55 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH 55 В SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Philips Semiconductors Product specification TrenchMOSTM transistor Logic level FET GENERAL ...
  14. Datasheet BUK9832-55A - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 55 В 12 А SOT223
    Наименование модели: BUK9832-55A Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH 55 В 12 А SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK9832-55A TrenchMOSTM logic level FET M3D087 Rev. 01 -- 31 January 2001 Product specification ...
  15. Datasheet BUK98180-100A - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 100 В 4.6 А SOT223
    Наименование модели: BUK98180-100A Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH 100 В 4.6 А SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK98180-100A N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 -- 3 June 2010 Product data sheet ...
  16. Datasheet BUK98150-55A - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 55 В 5.5 А SOT223
    Наименование модели: BUK98150-55A Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH 55 В 5.5 А SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK98150-55A N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 04 -- 11 June 2007 Product data sheet ...
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка