AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheets: транзисторов - 5

Поиск по: "транзисторов"
Найдено: 2,021 Вывод: 81-100

Вид: Список / Картинки

  1. .. N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была ...
  2. 1000 предложений от 7 поставщиков
    Характеристики транзистора КТ3107Е :Структура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 25 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение …
    Элитан
    Россия
    BC847C SOT-23 транзистор биполярный TRR (арт. 271186)0.82 ₽
    Кремний
    Россия и страны СНГ
    IR3315PBF Транзистор ф IRпо запросу
  1. .. двигателями. Это однокристальная микросхема с тремя полумостовыми драйверами затвора для N-канальных полевых МОП-транзисторов. Каждый драйвер рассчитан на ток 600 мА (приемник / источник). Он включает в себя линейный ...
  2. .. N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была ...
  3. .. N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была ...
  4. .. Analog Devices SSM2210P Сборки биполярных транзисторов AD Analog Devices Corporation Analog Devices Inc
  5. .. Analog Devices SSM2210S Сборки биполярных транзисторов AD Analog Devices Corporation Analog Devices Inc
  6. .. применения Условные обозначения Справочные данные полевых транзисторов 2П101 - КПС203 КП301 - КП312 КП313 - 3П330 3П331 - КП350 3П351 - КП364 КП501 - КП698 КП150 - ...
  7. Datasheet ULN2003ADR2G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона ARRAY, NPN, 7, 50 В, SOIC
    .. NPN Рабочий диапазон температрур: -20°C .. +85°C Количество выводов: 16 Continuous Collector Current Ic: 500 мА Количество транзисторов: 7 Тип корпуса: 16-SOIC RoHS: есть
  8. Datasheet SK30GB128 - Semikron Даташит IGBT MODULE, DUAL, 1200 В, 35  А
    .. Vces: 2.3 В Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.1 В Корпус транзистора: SEMITOP 2 Количество выводов: 5 Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: SEMITOP 2 Способ монтажа: Screw Тип транзистора: Av Current Ic: 35 А Current Ic ...
  9. Datasheet BUZ901 - Semelab Даташит Полевой транзистор, N TO-3
    .. выводов: 2 Альтернативный тип корпуса: TO-204AA Current Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-3 Power Dissipation Pd: 125 Вт Дополнительные аксессуары: Fischer Elektronik - ...
  10. Datasheet BD645 - Semelab Даташит Транзистор, DARLINGTON TO-220
    .. Ic Continuous a Max: 8 А DC Current Gain: 3 А Full Power Rating Temperature: 25°C DC Current Gain Min: 750 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-220 (SOT-78B) Рассеиваемая мощность максимальная: 62.5 Вт Тип транзистора: ...
  11. Datasheet BUZ906 - Semelab Даташит Полевой транзистор, P, TO-3
    .. TO-3 Количество выводов: 2 Current Id Max: 8 А Current Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-3 Power Dissipation Pd: 125 Вт Способ монтажа: Through Hole Threshold Voltage ...
  12. Datasheet IRFU9210 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P I-PAK
    .. Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Lead Length: 9.65 мм Расстояние между выводами: 2.28 мм Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-251 (I-Pak) Power Dissipation Pd: 25 Вт Pulse Current Idm: 7.6 А Время ...
  13. Datasheet ZTX753 - Diodes Даташит Транзистор, PNP, E-LINE
    .. a Max: 2 А Current Ic hFE: 500 мА DC Current Gain hFE: 100 Gain Bandwidth ft Min: 100 МГц Hfe Min: 100 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: E-Line Pin Configuration: e Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт Способ ...
  14. Datasheet SI4953DY - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8
    .. Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.053 Ом Power Dissipation: 2 Вт Корпус транзистора: SOIC Количество выводов: 8 Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: SOIC Способ монтажа: SMD Тип транзистора: MOSFET Continuous Drain Current Id: 4.9 ...
  15. Datasheet IRFU9310 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P I-PAK
    .. Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Lead Length: 9.65 мм Расстояние между выводами: 2.28 мм Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-251 (I-Pak) Power Dissipation Pd: 50 Вт Pulse Current Idm: 7.2 А Время ...
  16. Datasheet ZTX653 - Diodes Даташит Транзистор, NPN, E-LINE
    .. a Max: 2 А Current Ic hFE: 500 мА DC Current Gain hFE: 100 Gain Bandwidth ft Min: 140 МГц Hfe Min: 100 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: E-Line Pin Configuration: e Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт Способ ...
  17. Datasheet ZTX751 - Diodes Даташит Транзистор, PNP, E-LINE
    .. a Max: 2 А Current Ic hFE: 500 мА DC Current Gain hFE: 200 Gain Bandwidth ft Min: 100 МГц Hfe Min: 100 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: E-Line Pin Configuration: e Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт Способ ...
  18. Datasheet STN83003 - STMicroelectronics Даташит Транзистор, NPN, 400 В, 1 А, SOT-223
    .. постоянный максимальный: 1.5 мА Current Ic Continuous a Max: 500 мА DC Current Gain: 1 А DC Current Gain Min: 4 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-223 Рассеиваемая мощность максимальная: 1.6 Вт Способ монтажа: SMD RoHS: есть
  19. Datasheet SK15GD126 - Semikron Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 6 PACK
    .. Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ Корпус транзистора: SEMITOP 2 External Depth: 28 мм Внешняя ширина: 40.5 мм Количество транзисторов: 6 Тип корпуса: SEMITOP 2 Тип транзистора: Av Current Ic: 22 А Current Ic Continuous a Max: 22 А ...

Сортировать по: релевантность / дата

Поиск "транзисторов" в других поисковых системах: Везде-РадиоЛоцман DataSheet.ru
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка