Datasheets: транзисторов - 9

Вид: Список / Картинки

161. BC636 — Datasheet Fairchild -
     Биполярные транзисторы Fairchild BC636
     

     .. Current Ic Continuous a Max: 1.5 А Current Ic hFE: 150 мА DC Current Gain hFE: 40 Маркировка: BC636 Hfe Min: 40 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-92 Pin Configuration: f Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт Способ ...

Купить транзисторов на РадиоЛоцман.Цены — от до 45 000 ₽ 1000 предложений от 8 поставщиков Характеристики транзистора КТ3107Е :Структура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 25 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение …
Зенер Россия и страны ТС	оединители Гнезда для микросхем, транзисторов - Переходники	₽	Купить
Умные Модули Россия	Транзистор КТ3107Е (PNP, 0.1А, 25В, TO92) СЗТП	7.00 ₽	Купить

162. BD650 — Datasheet Semelab -
     Биполярные транзисторы Semelab BD650
     

     .. a Max: 8 А DC Current Gain: 3 А Маркировка: BD650 Full Power Rating Temperature: 25°C DC Current Gain Min: 750 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-220 Рассеиваемая мощность максимальная: 62.5 Вт Способ монтажа: Through Hole ...
163. IRF740LC — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторы Vishay IRF740LC
     

     .. State Resistance: 550 МОм Корпус транзистора: TO-220AB Количество выводов: 3 Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-220AB Power Dissipation Pd: 125 Вт Pulse Current Idm: 32 А Время выключения: ...
164. FDS6990A — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы Fairchild FDS6990A
     

     .. SOIC Количество выводов: 8 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Cont Current Id @ 25В°C: 7.5 А Current Id Max: 7.5 А Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOIC Power Dissipation Pd: 2 Вт Pulse Current Idm: 20 А SMD Marking: FDS6990A ...
165. BDW94B — Datasheet STMicroelectronics -
     Биполярные транзисторы STMicroelectronics BDW94B
     

     .. Ic Continuous a Max: 12 А DC Current Gain: 5 А Full Power Rating Temperature: 25°C DC Current Gain Min: 750 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-220 (SOT-78B) Рассеиваемая мощность максимальная: 80 Вт Тип транзистора: Power ...
166. BD646 — Datasheet Semelab -
     Биполярные транзисторы Semelab BD646
     

     .. Ic Continuous a Max: 8 А DC Current Gain: 3 А Full Power Rating Temperature: 25°C DC Current Gain Min: 750 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-220 (SOT-78B) Рассеиваемая мощность максимальная: 62.5 Вт Тип транзистора: ...
167. BFY81 — Datasheet Magnatec -
     Биполярные транзисторные сборки и модули Magnatec BFY81
     

     .. Gain: 150 Корпус транзистора: TO-77 Количество выводов: 6 Частота единичного усиления минимальная: 60 МГц Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: TO-77 Способ монтажа: Through Hole Collector Emitter Voltage Vces: 350 мВ Ток ...
168. ZTX705 — Datasheet Diodes -
     Биполярные транзисторы Diodes ZTX705
     

     .. Ic hFE: 1 А DC Current Gain hFE: 3000 Маркировка: ZTX705 Full Power Rating Temperature: 25°C Hfe Min: 3000 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: E-Line Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт Способ монтажа: Through Hole Тип ...
169. IRG4RC20FPBF — Datasheet International Rectifier -
     IGBT транзисторы International Rectifier IRG4RC20FPBF
     

     .. Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Max Current Ic Continuous a: 22 А Max Fall Time: 340 нс Количество транзисторов: 1 Power Dissipation: 66 Вт Power Dissipation Pd: 66 Вт Pulsed Current Icm: 44 А Rise Time: 24 нс ...
170. SI4542DY — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторные сборки и модули Vishay SI4542DY
     

     .. диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: SOIC Количество выводов: 8 Current Id Max: 6.9 А Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: SOIC Способ монтажа: SMD Cont Current Id P Channel: 6.1 А N-channel Gate Charge: ...
171. BC183C — Datasheet Fairchild -
     Биполярные транзисторы Fairchild BC183C
     

     .. мА Current Ic hFE: 2 мА DC Current Gain hFE: 120 Маркировка: BC183C Gain Bandwidth ft Min: 150 МГц Hfe Min: 450 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-92 Pin Configuration: f Рассеиваемая мощность максимальная: 625 мВт Способ ...
172. IRG4IBC30W — Datasheet International Rectifier -
     IGBT транзисторы International Rectifier IRG4IBC30W
     

     .. Temperature: 25°C Fall Time Tf: 67 нс Full Power Rating Temperature: 25°C Max Current Ic Continuous a: 17 А Количество транзисторов: 1 Power Dissipation: 45 Вт Power Dissipation Pd: 45 Вт Pulsed Current Icm: 92 А Rise Time: 16 нс ...
173. PMBFJ310 — Datasheet NXP -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) NXP PMBFJ310
     

     .. (19-Dec-2011) Current Idss Max: 60 мА Current Idss Min: 12 мА Current Ig: 50 мА Drain Source Voltage Vds: 25 В Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт Способ монтажа: SMD Полярность ...
174. SK60GAL123 — Datasheet Semikron -
     IGBT модули и транзисторные сборки Semikron SK60GAL123
     

     .. температрур: -40°C .. +150°C Корпус транзистора: SEMITOP 2 External Depth: 28 мм Внешняя ширина: 40.5 мм Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SEMITOP 2 Способ монтажа: Screw Тип транзистора: Av Current Ic: 58 А Current Ic ...
175. BUZ906D — Datasheet Semelab -
     Полевые транзисторы Semelab BUZ906D
     

     .. TO-3 Количество выводов: 2 Current Id Max: -16 А Current Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-3 Power Dissipation Pd: 250 Вт Способ монтажа: Through Hole Threshold Voltage ...
176. IRG4PH30KPBF — Datasheet International Rectifier -
     IGBT транзисторы International Rectifier IRG4PH30KPBF
     

     .. Ic Continuous a Max: 20 А Current Temperature: 25°C Fall Time Max: 170 нс Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Package / Case: TO-247 Power Dissipation: 100 Вт Power Dissipation Pd: 100 Вт Pulsed Current ...
177. BDV67A — Datasheet Multicomp -
     Биполярные транзисторы Multicomp BDV67A
     

     .. А Full Power Rating Temperature: 25°C Частота единичного усиления минимальная: 6 МГц DC Current Gain Min: 1000 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-247 Рассеиваемая мощность максимальная: 200 Вт Тип транзистора: Power ...
178. TMPSA06 — Datasheet Multicomp -
     Биполярные транзисторы Multicomp TMPSA06
     

     .. a Max: 500 мА DC Current Gain: 100 мА Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц DC Current Gain Min: 50 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-92 Pin Configuration: b Рассеиваемая мощность максимальная: 625 мВт Тип ...
179. SKM22GD123D — Datasheet Semikron -
     IGBT модули и транзисторные сборки Semikron SKM22GD123D
     

     .. SEMITRANS 6 Количество выводов: 17 External Depth: 45 мм Внешняя длина / высота: 24 мм Внешняя ширина: 105 мм Количество транзисторов: 6 Тип корпуса: SEMITRANS 6 Способ монтажа: Screw Тип транзистора: Av Current Ic: 25 А Current Ic ...
180. SI4946EY — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторные сборки и модули Vishay SI4946EY
     

     .. 60 В On Resistance Rds(on): 55 МОм Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Корпус транзистора: SOIC Количество выводов: 8 Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: SOIC Способ монтажа: SMD N-channel Gate Charge: 19nC On State Resistance @ Vgs = ...

Сортировать по: релевантность / дата