KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.
РадиоЛоцман - Все об электронике

Сверхбыстродействующие IGBT фирмы International Rectifier позволят значительно уменьшить потери проводимости и переключения в приложениях до 1200 В

International Rectifier IRG7PH35U IRG7PH35UD IRG7PH42U IRG7PH42UD IRG7PH46U IRG7PH46UD IRG7PH50U IRG7PSH50UD

International Rectifier анонсировала выпуск семейства надежных и эффективных биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), предназначенных для работы при напряжении до 1200 В в устройствах индукционного нагрева, бесперебойных источниках питания, преобразователях солнечных батарей и в сварочном оборудовании.

Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

В новом семействе сверхбыстродействующих IGBT с рабочим напряжением 1200 В используется технология Field-Stop Trench изготовления кристаллов на тонких пластинах, значительно уменьшающая потери переключения и проводимости, увеличивающая плотность мощности и эффективность на более высоких частотах. Это семейство является дальнейшим развитием приборов, оптимизированных для применений, не требующих устойчивости к коротким замыканиям, и дополняет ранее разработанною группу транзисторов с быстродействием 10 мс, предназначенных для управления электромоторами.

International Rectifier - IGBT 1200 В

Перекрывая широкий диапазон токов от 20 до 50 А для корпусированных приборов и до 150 А для бескорпусных, характеристики транзисторов отличаются широкой областью безопасной работы при обратном смещении, положительным температурным коэффициентом и малым падением напряжения в открытом состоянии. Приборы позволяют уменьшить тепловые потери и получить бóльшую плотность мощности. Помимо этого, устройства могут поставляться как со встроенными диодами со сверхмалым временем восстановления, так и без них. Для достижения наилучших температурных характеристик, повышения надежности и эффективности, возможна, также, поставка транзисторов в кристаллах, снабженных металлизацией для пайки.

Технические характеристики

Прибор
Корпус
I(НОМ)
VCE(on)
Rth(j-c)
TO247
20
1.9
0.70 °C/Вт
TO247 - Copack
TO247
30
1.7
0.39 °C/Вт
TO247 - Copack
TO247
40
1.7
0.32 °C/Вт
TO247 - Copack
TO247
50
1.7
0.27 °C/Вт
Sup.TO247 - Copack

Доступность и цена

Цена на IRG7PH35UPBF начинается от $3.00 при покупке партиями 10000 приборов. Транзисторы отгружаются со склада в промышленных количествах немедленно.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: IR's Reliable, Ultra-fast 1200V IGBTs Significantly Reduce Switching and Conduction Losses to Deliver Higher Overall System Efficiency

12 предложений от 12 поставщиков
Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 55A 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
IRG7PH35U-EP,IGBT 1200В 35А 8-30кГц TO247AD
Infineon
129 ₽
ЧипСити
Россия
IRG7PH35U-EP
International Rectifier
324 ₽
IRG7PH35U-EP, IGBT 1200В 35А 8-30кГц TO247AD
Infineon
415 ₽
ЭИК
Россия
IRG7PH35U-EP
International Rectifier
642 ₽
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя