Муфты электромонтажные от производителя Fucon
РадиоЛоцман - Все об электронике

Infineon расширяет семейство мощных ВЧ LDMOS-транзисторов

Infineon PTFB093608FV V1 PTFB082817FH V1 PTFB091507FH V1

Infineon расширила свое семейство мощных ВЧ LDMOS-транзисторов, включив в него три новых прибора, предназначенных для усилителей Догерти в приложениях LTE, WCDMA и CDMA. Новые транзисторы обеспечивают отличную эффективность, высокую пиковую мощность и широкую полосу пропускания видеосигнала. Имеются варианты с выходной мощностью P1dB 150 Вт, 270 Вт и 360 Вт в инновационных дискретных корпусах компании Infineon для особо компактных схем.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Infineon - PTFB093608FV V1, PTFB082817FH V1, PTFB091507FH V1

Номера компонентов:

PTFB093608FV V1 – 360 Вт (P1dB при 28 В)
PTFB082817FH V1 – 270 Вт (P1dB при 28 В)
PTFB091507FH V1 – 150 Вт (P1dB при 28 В)

Типичное применение PTFB093608FV для WCDMA с одной несущей Характеристики при частоте 960 МГц, 28 В, сигнале 3G PP, полосе пропускания канала 3.84 МГц, коэффициенте PAR 10 дБ при вероятности 0.01% CCDF (дополнительная интегральная функция распределения):

  • Средняя выходная мощность Pout: 112 Вт
  • Коэффициент усиления: 20 дБ
  • Эффективность: 34 дБ
  • Ослабление мощности по соседнему каналу: –36 дБн

Типичное применение PTFB082817FH для WCDMA с одной несущей Характеристики при частоте 821 МГц, 30 В, сигнале 3G PP, полосе пропускания канала 3.84 МГц, коэффициенте PAR 10 дБ при вероятности 0.01% CCDF:

  • Средняя выходная мощность Pout: 50 Вт
  • Коэффициент усиления: 19 дБ
  • Эффективность: 35 дБ
  • Ослабление мощности по соседнему каналу: –35 дБн

Типичное применение PTFB091507FH для WCDMA с одной несущей Характеристики при частоте 960 МГц, 28 В, сигнале 3G PP, полосе пропускания канала 3.84 МГц, коэффициенте PAR 7.5 дБ при вероятности 0.01% CCDF:

  • Средняя выходная мощность Pout: 50 Вт
  • Коэффициент усиления: 20 дБ
  • Эффективность: 38 дБ
  • Ослабление мощности по соседнему каналу: –36 дБн

Для каждого транзистора имеется эталонная схема, которая упрощает оценку:

LTN/PTFB093608FV — настроена на 960 МГц
LTN/PTFB082817FH — настроена на 821 МГц
LTN/PTFB091507FH — настроена на 960 МГц

Особенности

  • Предназначены для усилителей Догерти
  • Высокий коэффициент усиления, отличная эффективность
  • Инновационный дискретный корпус обеспечивает уменьшение размеров схемы
  • Возможность работы с КСВН = 10:1 при 28 В и непрерывной (CW) выходной мощности
  • Встроенная защита от электростатического разряда
  • Встроенная защита от электростатического разряда

Применение

  • ВЧ усилители мощности для систем сотовой связи
  • ВЧ коммуникации, ВЧ усилители мощности
  • Промышленные ВЧ усилители

На английском языке: New LDMOS RF Power Transistors for 800MHz and 900MHz with Output Power of up to 360W

6 предложений от 6 поставщиков
РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS 9
AiPCBA
Весь мир
PTFB093608FV-V3-R2
Wolfspeed
13 297 ₽
Utmel
Весь мир
PTFB093608FV-V3-R0
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
PTFB093608FV V3
Infineon
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
PTFB093608FV V2 - Infineon Technologies
Infineon
по запросу
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя