Infineon выпустила силовые транзисторы Blade 3×3 MOSFET с размерами 3.0 × 3.4 мм. Новая революционная концепция корпусов Blade задает новый стандарт в области высокопроизводительных силовых корпусов.
В данной технологии больше не используются стандартные процессы корпусирования, такие как сварка и опрессовка. Межкомпонентные соединения реализуются с помощью гальванических процессов, для дополнительной защиты кристалл ламинируется. Сток в корпусе Blade 3 × 3 располагается внизу, а верхняя часть корпуса, имеющая низкое тепловое сопротивление, обеспечивает эффективное охлаждение. Основание корпуса с двумя выводами, подключенными к затвору, и большими площадками стока и истока оптимизировано для работы с высокими токами и для упрощения топологии печатной платы. Использование такой технологии позволяет создавать продукцию с самыми низкими сопротивлениями в открытом состоянии и с наибольшей плотностью мощности без ухудшения рабочих характеристик и охлаждения.
Особенности
- Лучшее в своем классе сопротивление в открытом состоянии
- Низкий профиль (0.55 мм)
- Большие контактные площадки для подключения к стоку и истоку
- Оптимизированное расположение выводов
- Низкое тепловое сопротивление верхней части корпуса
- Соответствует требованиям директивы RoHS, не содержит галогенов
Применение
- Ноутбуки: ядро, периферийные устройства
- Системные платы: ядро, периферийные устройства
- Сервер
- Телекоммуникационное оборудование — преобразователи в точке нагрузки (PoL)
