Toshiba представляет МОП-транзисторы на 60 В со сверхнизким Rds(on) и выходным зарядом в самом современном корпусе для поверхностного монтажа

Устройство на 60 В в корпусе SOP Advance для поверхностного монтажа позволяет проектировщикам оптимизировать эффективность и снизить размеры источников питания и блоков управления электродвигателями

Компания Toshiba Electronics Europe продолжает расширять серию компактных высокоэффективных быстродействующих МОП-транзисторов U-MOS IX-H и представляет новое устройство в корпусе для поверхностного монтажа с максимальным допустимым V_DSS 60 В и максимальным током стока 100 А.

TPH1R306PL выпускается в корпусе SOP Advance для поверхностного монтажа и обладает сверхнизким типовым сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(ON)), которое составляет всего 1.0 мОм (при V_GS = 10 В). Поскольку технологический процесс U-MOS IX-H компании Toshiba обеспечивает лучшее в классе сочетание R_DS(ON) и выходной емкости / выходного заряда, типовое значение Q_OSS составляет всего 77.5 нКл. Это позволяет проектировщикам дополнительно повысить эффективность работы систем за счет увеличения скорости переключения и снижения потерь при переключении.

Как и другие устройства серии U-MOS IX-H, МОП-транзисторы TPH1R306PL подходят для применения в преобразователях постоянного тока и цепях вторичной стороны источников питания с преобразованием переменного тока в постоянный. Выбирая эти МОП-транзисторы, проектировщики указанных выше устройств имеют возможность значительно повысить их эффективность, поскольку Q_OSS — одна из причин возникновения потерь мощности при синхронном выпрямлении.

Благодаря высокому допустимому импульсному току (I_dp) до 500 А и более высокой максимальной температуре канала, составляющей 175 °C,  новые МОП-транзисторы также могут использоваться для управления электродвигателями в аккумуляторных бытовых приборах и электроинструментах.  Для применений, требующих еще более эффективного рассеяния тепла, доступна версия с двусторонним охлаждением TPW1R306PL.