Micron разрабатывает технологии производства памяти следующего поколения
Micron Technology выпустила первый 4Гигабайтный DDR SDRAM DIMM модуль памяти для Intel Corporation. Выпуск модуля такого размера произведен благодаря недавно представленным 1Гб DDR266 SDRAM микросхемам, произведенным по 0,11µм техпроцессу в JEDEC-стандартном 400 mil TSOP корпусе.
Micron производит 1Гб DDR266 SDRAM микросхемы по 0,11µм техпроцессу, применяя стековые конденсаторы, который является наиболее совершенным на данный момент в отрасли. Применение такого техпроцесса позволяет уместить больше ячеек памяти на единице площади, что приводит к снижению стоимости микросхем.
