Diodes представляет программируемый DC/DC преобразователь для приложений с высокой плотностью мощности

Компания Diodes представила новую микросхему AP72200 – сильноточный синхронный повышающе-понижающий DC/DC преобразователь с интегрированными MOSFET верхнего и нижнего плеч H-моста. КПД AP72200 достигает 97%, а точность стабилизации напряжения поддерживается в пределах 1%. Устройство отличается небольшим током потребления и очень низким уровнем выходных пульсаций.

В конструкции AP72200 использована запатентованная Diodes технология повышающе-понижающего преобразования с управлением по току дросселя, позволяющая обеспечивать отличное качество регулирования при непрерывном выходном токе до 2 А. Устройство способно мягко переключаться между понижающим и повышающим режимами, поддерживая заданный уровень выходного напряжения в диапазоне от 2.6 В до 5.14 В при входных напряжениях от 2.3 В до 5.5 В.

Типовая схема включения AP72200.

Высокий уровень интеграции микросхемы в совокупности с низким током потребления и большим диапазоном входных напряжений хорошо подходят для широкого спектра портативных приложений, включая смартфоны, планшеты и другие устройства с батарейным питанием. Многие функции AP72200 могут конфигурироваться пользователем через интерфейс I²C, который может работать в стандартном, ускоренном и высокоскоростном режимах. В число программируемых параметров входят скорость нарастания и спада выходного напряжения, время активного разряда выходного конденсатора, а также пороги защиты от повышенного напряжения и перегрузки по току. Кроме того, преобразователь можно сконфигурировать для работы в режиме широтно-импульсной модуляции (ШИМ), частотно-импульсной модуляции (ЧИМ) или в ультразвуковом режиме (USM) с пропуском импульсов, в котором частота переключения смещается в область 20 кГц, чтобы исключить субгармоники, создающие помехи в звуковом диапазоне. Выход повышающе-понижающего преобразователя может отключаться через интерфейс I²C, позволяя ведущему контроллеру управлять работой регулятора. Выходное напряжение устанавливается в диапазоне от 2.60 В до 5.15 В шагами по 0.02 В путем программирования через интерфейс I²C.

Зависимость КПД от тока нагрузки. (VIN = 2.7 В, VOUT = 3.4 В).

Интегрированные MOSFET H-моста имеют сверхнизкие сопротивления открытых каналов с типовыми значениями 25 мОм и потребляют в режиме отключения менее 1 мкА. Потребляемый микросхемой ток, в режиме пропуска импульсов равный всего 20 мкА, в режиме ЧИМ увеличивается до типового значения 29 мкА. Типовая частота переключения в режиме непрерывной коммутации составляет примерно 2.5 МГц, а в ультразвуковом режиме снижается до 27 кГц.