Fairchild выпускает новый сдвоенный P-канальный MicroFET транзистор

Компания Fairchild Semiconductor представила разработчикам портативных устройств сдвоенный P-канальный MOSFET-транзистор с сопротивлением открытого канала 60 мОм, что является лучшим в отрасли параметром для P-канальных транзисторов. FDMA6023PZT выполнен в миниатюрном низкопрофильном MicroFET MLP корпусе (2*2*0.55 мм), полностью отвечающем требованиям разработчиков компактных мобильных устройств. Запатентованная технология PowerTrench MOSFET позволяет добиться низкого значения заряда затвора QG, что обеспечивает высокое быстродействие транзистора в ключевом режиме. Для защиты от превышения напряжения на затворе в цепи затвор-исток установлены TVS-диоды (полупроводниковые ограничители напряжения).

Технические характеристики:

• максимальное напряжение сток-исток - 20 В;
• максимальное напряжение сток-затвор - 8 В;
• максимальное ток стока - 3.6 А;
• сопротивление сток-исток (в открытом состоянии) - 60 мОм;
• суммарный заряд затвора - 12 нКл;
• температурный диапазон - от -55 C до +150C.

Применение:

• мобильные устройства;
• импульсные источники питания.