RF Micro Devices – мировой лидер в разработке и производстве высокочастотных полупроводниковых компонентов объявил о расширении линейки генераторов ВЧ сигнала, управляемых напряжением, выполненных по монолитной интегральной технологии GaAs InGaP HBT.
Как известно, RFMD уже имеет в своей линейке серию гибридных ГУНов и синтезаторов с экстремально низкими фазовыми шумами, доставшуюся по наследству от приобретения UMC.
Микросхемы дополняют уже стартовавшего первенца серии – модель RFVC1800 в принципиально новом для производителя направлении – MMIC VCOs. Все микросхемы выполнены в недорогих низкопаразитных корпусах QFN 4×4 мм.
Основные характеристики микросхем приведены в таблице:
Позиция |
Частотный |
Уровень выходной |
Напряжение |
Подавление второй |
Подавление третьей |
RFVC1821 |
4.45 … 5.0 |
3.5 |
3 |
–7 |
–22 |
RFVC1822 |
5.0 … 5.5 |
3 |
3 |
–10 |
–39 |
RFVC1823 |
6.1 … 6.75 |
2 |
3 |
–7 |
–35 |
RFVC1824 |
7.2 … 8.0 |
5 |
3 |
–21 |
–33 |
RFVC1825 |
7.8 … 8.7 |
5 |
3 |
–25 |
–35 |
RFVC1829 |
6.8 … 7.4 |
7 |
3 |
–22 |
–27 |
Основными областями применения микросхем серии RFVC18xx являются:
- Радары широкого спектра применения
- Метрология
- Широкополосные системы связи «точка-точка»
- Тестовое оборудование
В планах RFMD расширять данную линейку, за счет покрытия новых диапазонов частот, и, одновременно повышать степень интеграции уже существующих микросхем в серии, путем добавления на кристалл дополнительных усилителей.