ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English
РадиоЛоцман - Все об электронике
Подразделы
Проф. элек-ка
ArduinoАвтоАвтозвукАвтоматикаАналог. схемыАудиоБезопасностьБеспроводныеБытоваяВетроэнер-каВидеоВидеокамерыВред.рецептыВысоковольт.ГенераторыИИИгрыИзмеренияИнстр. и тех.ИнтерфейсыКомпьютеры иЛазерМедицинаМониторыМузыкаНачинающимОбработка сигналов, фильтрыПерс.технологПечат.платыПитаниеПлатформыПрименение МКР/у моделиРадиоРадиолокацияРетроРобототехникаСАПР и ПОСветотехникаСетиСиловая эл-каСолнечная эн.Сотовая связьСпутник.обор.ТВТелефонТеорияУк.применениюУсилителиЦифровые
Эл. компон-ты
АЦП, ЦАПБеспроводныеДатчикиДискретныеДрайверыИнтерфейсыКонденсаторыЛогикаМКМЭМСОптоэлектроникаПамятьПассивные комп-тыПитаниеПреоб. данныхПрогр. логикаПроцессорыРЧ компонентыРезисторыРелеСоед., разъемыСотовая связьТехнологииУсилители
Потреб. тех-ка
АудиотехникаВидеотехникаКлимат. тех-каКомпьютеры ..Кухонная тех-каОргтехникаСвязьТехн. будущегоТовары для домаФототехника
Integra Tec…
Производители
Новости
Integra Technologies

Новости Integra Technologies

Производитель: "Integra Technologies"
Найдено: 1 Вывод: 1
  1. Integra Technologies анонсирует выпуск согласованного 50-ваттного GaN/SiC транзистора для диапазона частот 5-6 ГГц
    Радиочастотные компоненты Integra Technologies IGT5259L50
    Integra Technologies анонсировала выпуск полностью согласованного GaN/SiC транзистора, отдающего мощность 50 Вт в частотном диапазоне 5 6 ГГц. Изготавливаемый на карбид-кремниевой подложке нитрид-галлиевый HEMT транзистор IGT5259L50 с 50-омным ...
    Fully-Matched High-Power GaN/SiC Transistor Offers 50W at 5-6 GHz
    Integra Technologies announces the release of a fully-matched, GaN/SiC transistor, offering 50 W at 5-6 GHz. Designed for pulsed C-Band Radar applications, the IGT5259L50 high-power GaN-on-SiC HEMT transistor is fully-matched to 50 Ohms and ...
    12-02-2018
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Срезы
Термогигрометры Ivit - замена психрометров