Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Технологии электронных компонентов - 6

Подраздел: "Технологии электронных компонентов"
Найдено: 98 Вывод: 51-60
  1. Новая технология SuperMESH3 производства MOSFET-транзисторов STP6N62K3 и STP3N62K3 обеспечивает более низкое сопротивление открытого канала, что позволяет сократить потери мощности в импульсных преобразователях. Эту технологию отличает также ...
    26 апреля 2009
  2. Компания STMicroelectronics - мировой лидер в производстве компонентов для Set-top-Boxe (STB) - хорошо известна и как компания, постоянно работающая над снижением потребляемой ее компонентами энергии. Так, одним из последних действий компании в ...
    29 марта 2009
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей
  1. Передовая технология MDmesh V дает возможность достижения рекордно низкого сопротивления открытого канала в 0,079 Ом для 650-вольтовых транзисторов в компактных стандартных корпуса. Первый прибор STP42N65M5 в корпусе ТО-220, уже доступный на рынке, ...
    3 марта 2009
  2. Благодаря революционной транзисторной технологии корпорации Intel процессоры Intel на базе 45-нанометровой технологии с использованием гафния и диэлектриков Hi-k получают исключительные преимущества. Новые процессоры создают разнообразные ...
    27 ноября 2007
  1. Компания Sirenza произвела первый усилитель мощности на основе нитрида галия ( GaN ) с выходной мощностью выше 2 Вт и коэффициентом шума ниже 1 дБ, работающий в диапазоне от 0.2 до 8 ГГц. Данный транзистор Sirenza, выполненный по технологии HEMT , ...
    Sirenza Microdevices announced that the company has produced what it believes to be the first Gallium Nitride (GaN) power amplifier with an output power above 2 Watts and a noise figure (NF) below 1 db, encompassing the 0.2 to 8 GHz range. Details ...
    27 июля 2007
  2. По заявлению компании Nanosys , ей удалось найти материал, который может удвоить плотность флэш-памяти. Речь идет о самособирающихся металлических нанокристаллах. Новая технология может оказать сильный эффект на отрасль, поскольку она затрагивает ...
    Nanosys says it has found a material that can double the capacity of flash memory found in conventional chips by adding self-assembled metal nanocrystals to the flash manufacturing process. Nanosys, which has shown that the tiny particles of metal ...
    24 июля 2007
  3. Компания Advanced Diamond Technologies (ADT) представила новый ряд продуктов, предназначенных для производства микроэлектромеханических систем (MEMS). Напомним, фотолитографическая технология MEMS дает возможность изготавливать микросхемы с ...
    17 июля 2007
  4. Корпорация Intel объявила о том, что ее будущие процессоры, начиная с семейства процессоров на базе 45-нанометровой транзисторов с диэлектриком из нового материала High-k и металлическим затвором (далее Hi-k), совсем не будут содержать свинца. К ...
    Intel Corporation announced that its future processors, beginning with its entire family of 45 nm high-k metal gate (Hi-k) processors, are going 100 % lead-free. The Intel 45 nm Hi-k family includes the next-generation Intel® Core™ 2 Duo, ...
    28 мая 2007
  5. Корпорация IBM сообщила о том, что ученые ее исследовательского центра Almaden Research Center продемонстрировали методику магниторезонансной визуализации (magnetic resonance imaging, MRI) для получения изображений объектов нанометрового масштаба. ...
    IBM announced that researchers at its Almaden Research Center have demonstrated magnetic resonance imaging (MRI) techniques to visualize nanoscale objects. This technique brings MRI capability to the nanoscale level for the first time and ...
    27 апреля 2007
  6. Всего лишь несколько лет назад многие исследователи были уверены, что использовать кремний для изготовления лазера принципиально невозможно. Однако недавние достижения показали, что это не так. Очередной значительный шаг совершили специалисты ...
    22 апреля 2007
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка