Константин Староверов Статья посвящена MOSFET-транзисторам производства компании Texas Instruments, выполненным по новой технологии NexFET. Эта технология существенно улучшает характеристики транзисторов и открывает широкие возможности по ...
Джафер Меджахед (КОМПЭЛ), Дмитрий Цветков В июне этого года популярный французский журнал по электронике вручил заслуженную награду “Electron d’Or 2009” новым SiC-диодам от STMicroelectronics в категории “силовые ...
Олег Стариков (КОМПЭЛ), Андрей Никитин Компания International Rectifier (IR) является признанным мировым лидером в разработке и производстве MOSFET-транзисторов. Отличительной особенностью MOSFET-транзисторов последних лет является сочетание ...
Константин Староверов Обновленная линейка низковольтных силовых MOSFET-транзисторов компании International Rectifier выполнена по улучшенной технологии Trench FET Gen10.59 и с использованием современных технологий корпусирования. Их применение ...
П. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и ...
Владимир Башкиров Новости Элеткроники 18, 2008 В номенклатуре International Rectifier заметную часть составляют низковольтные силовые МОП-транзисторы. Они широко востребованы рынком телекоммуникационного и компьютерного оборудования, на долю ...
Евгений Звонарев Новости Электроники 18, 2008 Новая серия мощных МОП-транзисторов IRFP4xxx компании International Rectifier (IR) с ультранизким сопротивлением канала позволяет существенно повысить КПД преобразования электрической энергии и ...
А. Акименко Новости Электроники 5, 2008 Линейка RF-продуктов Freescale традиционно охватывает самый широкий спектр применений. В конце 2007 года она пополнилась новыми представителями мощными транзисторами для промышленных, научных и медицинских ...
