.. Rectifier, IR® представила вниманию IRF7842 , рассчитанный на 40 В N-канальный силовой HEXFET® полевой МОП-транзистор , оптимизированный для работы в изолированных DC-DC преобразователях и предназначенный для применения ...
May 19, 2004 - International Rectifier, IR® introduced the IRF7842 , a 40V N-channel HEXFET® power MOSFET optimized for isolated DC-to-DC converters for telecommunications systems. The 40V rating enhances reliability when used in ...
27 мая, 2004г. - Фирма Fairchild Semiconductor объявляет о разработке новой высокоскоростной транзисторной опторазвязки на 3.3 В . Это изделие является единственным устройством из имеющихся на рынке, для которого гарантируется минимальное значение ...
.. 27, 2004 - Fairchild Semiconductor announces a new high-speed 3.3V transistor optocoupler . This is the only such device on the market offering a guaranteed minimum 5kV/µs ...
.. International Rectifier анонсировала силовой МОП-транзистор IRF6665 в корпусе DirectFET TM , специальнго созданный для высокоэффективных высококачественных ...
International Rectifier, IR introduced the IRF6665 DirectFET TM MOSFET for medium power Class D audio amplifiers . The device parameters are tuned specifically for improved audio performance such as efficiency, total harmonic distortion (THD) and ...
.. компания NEC заявила, что она разработала самый маленький в мире транзистор. По мнению представителей компании, это должно стать большим шагом вперед в развитии технологий. ...
.. и других логических схем. Инженеры компаний Intel и QinetiQ продемонстрировали работающий в режиме обогащения транзистор, в котором в качестве токопроводящего материала используется антимонид индия (химическое обозначение ...
.. Run Cooler, Use Less Energy Intel Corporation announced development of a new, ultra-fast, yet very low power prototype transistor using new materials that could form the basis of its microprocessors and other logic products ...
.. не имеющего аналогов 40-вольтового силового МОП транзистора IRF2804S-7P в модифицированном корпусе D2Pak. Новый транзистор нормирован на максимальное сопротивление канала 1,6мОм (типовое 1,2мОм) и ток 160А (ограничен ...
September 8, 2004 - International Rectifier (IR) announced the Q101-qualified IRF2804S-7P , a 40V, 1.6mOhm HEXFET® power MOSFET rated at 160A in a D2Pak outline. This specification makes the IRF2804S-7P ideal for heavy-duty, high-current ...
.. экспериментальный образец нового типа МОП-транзисторов, названного ITFET (Inverted T Channel-Field Effect Transistor). Впервые в полупроводниковой индустрии был изготовлен транзистор, в котором сочетаются традиционная ...
.. оборудованного двумя входами и двумя выходами. Scanning electron microscope image of a dual-input heterojunction bipolar transistor laser (HBTL) on a Cu heat sink acting as frequency mixer for up and down conversion. The image shows ...
Компактные устройства с рабочей температурой от 55 C до 110 C могут использоваться с ПЛК, промышленными инверторами и сервоусилителями Компания Toshiba Electronics объявила о выпуске двух оптронов в корпусах для поверхностного монтажа с расширенным ...
.. for factory automation systems. Offering AC and DC inputs respectively, the TLP290-4 and TLP291-4 are general-purpose transistor couplers that integrate four output channels into a small and thin SO16 package measuring just 10.3 ...
Проведенные в Intel исследования новых типов транзисторов позволили сделать еще один шаг к началу массового производства транзисторов с трехмерным затвором. Эти транзисторы отличаются значительно улучшенными показателями производительности и ...
.. research and development involving new types of transistors has resulted in further development of a tri-gate (3-D) transistor for high-volume manufacturing. Since these transistors greatly improve performance and energy ...
