Этот транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
Этот транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
Этот транзистор расширенного режима (нормально выключенный) использует вертикальную структуру DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс производства с кремниевым затвором.
Доброго времени суток. Я начинающий радиолюбитель и мне нужна помощь в изготовлении усилителя на транзисторе. Усилить надо прямоугольный сигнал частотой 200-500 килоГерц, напряжение сигнала показывает 1,5 вольта. Усилить его необходимо до 50-90 ...
Доброго всем времени.Подарили данный усилок с пробитым выходом одного канала.Посмотрел Datasheet по выходникам, и совсем скучно стало. Вот прошу совета если заменить на пару 2SC5200 и 2SA1943.То при поднятии напряжения питания,какие номиналы ...
Второе поколение приборов соответствует требованиям стандарта AEC-Q101 для автомобильных приложений высокой мощности Компания Transphorm анонсировала второе поколение своей высоковольтной нитрид-галлиевой (GaN) технологии, изготовив транзисторы, ...
Second generation platform passes AEC-Q101 tests for high power automotive applications Transphorm Inc. announced that its second generation, JEDEC-qualified high voltage gallium nitride (GaN) technology is now the industry’s first GaN ...
The owner of the unit inadvertently inverted the red and black cables that go to the battery which caused the fuses to burn and also the diode 1N5403 of the entrance besides the burning of the mosfet MT3205 of the exit. Replaces these mosfet ...
В конце 2015 года компания Transphorm начала производство второго поколения нитрид-галлиевых транзисторов с рабочим напряжением 650 В. Эти силовые ключи выполнены по каскодной схеме. Такая конфигурация позволяет сохранять высокие значения выходной ...