.. R2 для сохранения коэффициента деления делителя напряжения. Пересчитать можно по приблизительной формуле: R2=2.5×R1/650. Полученное сопротивление необходимо округлить в большую сторону из ближайших сопротивлений ряда. В схеме ...
.. расширять свой портфель полевых транзисторов, UnitedSiC представила шесть новых 650- и 1200-вольтовых приборов, размещенных в стандартном для отрасли корпусе для поверхностного монтажа D2PAK-7L. Эти ...
.. continues to expand its FET portfolio with the introduction of six new 650 V and 1200 V options, all housed in the industry standard D2PAK-7L surface mount package. Available in 30, 40, 80 ...
.. с логическими уровнями управления ( 1EDB7275F ); 0 В для MOSFET с нормальными уровнями управления ( 1EDB8275F ) 12 В для 650-вольтовых MOSFET CoolSiC (15-вольтовая схема управления, 1EDB6275F ) 12 В для 650-вольтовых MOSFET CoolSiC (схема ...
.. 0 V for logic-level MOSFETs ( 1EDB7275F ) 0 V for normal-level MOSFETs ( 1EDB8275F ) 12 V for CoolSiC™ MOSFETs 650 V (15 V driving scheme, 1EDB6275F ) 14 V for CoolSiC™ MOSFETs 650 V (≥18 V driving scheme, 1EDB9275F ) ...
.. надежным. Эксперименты выполнялись на 120-ваттном сетевом адаптере, в котором в качестве активных ключей использовались 650-вольтовые MOSFET с сопротивлениями каналов 99 мОм, заменявшие два диода в нижнем плече моста. На Рисунке 4 видно, ...
.. without any risk of shoot-through. The experimental results were carried out based on a 120 W adapter design, in which 650 V, 99 mΩ MOSFETs are used as the active switch, thus replacing two low-side bridge diodes. Figure 4 shows how ...
.. компании Texas Instruments SQJA81EP лучший в отрасли 80-вольтовый автомобильный P-MOSFET 2ED2101/03/04, 2ED2110S06M новые 650-вольтовые драйверы полумостов семейства EiceDRIVER SiC8xx новое семейство сильноточных интеллектуальных силовых ...
.. энергии мощностью до 200 Вт, STMicroelectronics (ST) выпустила силовые модули MasterGaN4 , объединив в них два симметричных 650-вольтовых мощных нитрид-галлиевых (GaN) транзистора с сопротивлениями открытых каналов 225 мОм, а также ...
.. STMicroelectronics MasterGaN4 power packages integrate two symmetrical 650 V gallium nitride (GaN) power transistors with 225 mΩ R DS(on) , alongside optimized gate drivers and circuit ...
.. технологии Юрий Петропавловский Силовые IGBT и MOSFET компании Alpha Omega AP22916 2-амперный коммутатор нагрузки TKxxxU65Z 650-вольтовые MOSFET с суперпереходом в новых корпусах TOLL PIC32CM MC новая серия 32-битных микроконтроллеров для ...
.. Technologies расширяет свое семейство микросхем EiceDRIVER новыми 650-вольтовыми драйверами затворов полумостов. Новые устройства основаны на уникальной технологии КНИ (кремний на ...
.. Technologies broadens its EiceDRIVER™ portfolio with new 650 V half-bridge and high and low side gate drivers. The new devices are based on the company’s unique ...
