На Рисунке 1 представлен генератор импульсов с крутыми фронтами, в котором для получения времени нарастания 20 пс используется серийно выпускаемый туннельный диод высокого класса. Тактовые импульсы с выхода O1 генератора (осциллограмма A, Рисунок 2) управляют транзистором Q1, коллектор которого (осциллограмма B) коммутирует нагруженные на емкости транзисторы источника тока Q2-Q3. Результирующе повторяющееся линейно нарастающее напряжение на коллекторе Q3 (осциллограмма C), буферизованное транзистором Q4, через выходные резисторы подает смещение на туннельный диод. Выходной сигнал, формируемый туннельным диодом (осциллограмма D), повторяет это линейно изменяющееся напряжение до появления резкого скачка (осциллограмма D, непосредственно перед четвертой вертикальной линией сетки). Этот скачок вызван срабатыванием туннельного диода. Связанный с этим срабатыванием фронт имеет очень большую крутизну с заданным временем нарастания 20 пс и чистым установлением.
На Рисунке 3 этот фронт показан детально с помощью стробоскопического осциллографа с полосой пропускания, ограниченной значением 3.9 ГГц (время нарастания 90 пс). Из Рисунка 4 при скорости развертки, уменьшенной до 100 пс/дел, видно, что время установления плоской вершины импульса в пределах 4% (в полосе пропускания 3.9 ГГц) составляет не более 100 пс.
![]() |
|
Рисунок 4. | Уменьшение скорости развертки позволяет увидеть, что время установления плоской вершины импульса в пределах 4% (в полосе пропускания 3.9 ГГц) составляет не более100 пс. |