Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Независимое управление фазовыми углами в полуволнах переключения тиристоров с помощью ШИМ

onsemi H11D1M

«Две половины образуют целое» – очень старая и часто верная истина. Например, она почти всегда верна, когда речь идет о фазовом управлении мощностью переменного тока. Значительная асимметрия полупериодов редко бывает нужна из-за (обычно нежелательной) составляющей постоянного тока нагрузки, создаваемой неравными углами проводимости полупериодов. Поэтому желаемой формой выходного напряжения является хорошо сбалансированный, свободный от постоянной составляющей, целостный и симметричный в двух полупериодах сигнал.

Особенности выбора танталовых конденсаторов Xiangyee по номинальному напряжению

А что делать, если в вашем приложении требуется лучшая симметрия, чем та, которую могут обеспечить доступные тиристоры без какой-либо тонкой настройки? Например, согласно техническому описанию Q2, асимметрия напряжения срабатывания, зависящая от полярности, составляет ±3 В или ±8%. Или предположим, что (по какой-то странной причине) вам действительно нужно точно контролируемое преднамеренное неравенство углов проводимости в полупериодах. Что тогда?

На Рисунке 1 представлено простое решение обеих проблем. В нем реализовано независимое управление фазовыми углами положительного и отрицательного полупериодов с использованием отдельных каналов ШИМ с независимыми постоянными времени срабатывания: одной для положительных полупериодов, другой – для отрицательных. Где:

  • Постоянная времени для положительной полуволны равна R1C1/D+;
  • Постоянная времени для отрицательной полуволны равна R1C1/D–;
  • D – коэффициент заполнения импульсов ШИМ, принимающий значения от 0 до 1.
Q1 и Q3 обеспечивают независимые постоянные времени срабатывания для полуволн противоположной полярности.
Рисунок 1. Q1 и Q3 обеспечивают независимые постоянные времени срабатывания
для полуволн противоположной полярности.

Используемый метод управления мощностью заключается в изменении фазового угла проводимости с помощью quadrac (двунаправленного тиристора). Он подключен традиционным способом, за исключением того, что оптоизоляторы Q1 и Q3 заменяют обычный ручной потенциометр регулировки фазы. Коэффициент заполнения (D) входного ШИМ-сигнала определяет среднюю проводимость фототранзистора, Диоды D1 и D2 выбирают тот оптоизолятор, который соответствует мгновенной полярности полуволны сетевого напряжения 60 Гц. 300-вольтовый оптрон типа H11D1 имеет типовой коэффициент передачи тока 80%, что требует тока ШИМ-управления порядка 10 мА. Ограничитель тока R2 сопротивлением 330 Ом предполагает использование 5-вольтовой шины питания и низкого выходного сопротивления драйвера. Если какое-либо из этих допущений не выполняется, потребуется корректировка. Частота импульсов ШИМ не критична, но должна быть близка к 10 кГц,

КПД Q2 при полной нагрузке составляет около 99%, но максимальная температура перехода Q2 – всего 110 °C. Поэтому, если ожидаемая среднеквадратичная выходная мощность превышает 200 Вт, целесообразно обеспечить адекватное охлаждение Q2.

Зависимость угла проводимости тиристора R от коэффициента заполнения ШИМ D, где по оси Y - радианы, а по оси X - безразмерные значения D.
Рисунок 2. Зависимость угла проводимости тиристора R от коэффициента
заполнения ШИМ D, где по оси Y – радианы, а по оси X – безразмерные
значения D.

Регулировки для каждого полупериода охватывают диапазон от верхнего предела при D = 1, когда устанавливается максимальный угол проводимости, составляющий примерно 2.6 радиана, которому соответствуют 95% или 117 В среднеквадратичного выходного напряжения, до нулевой мощности при D = 0. На Рисунке 2 показана приблизительная зависимость между D и углом проводимости R, определяемая формулой

тогда как Рисунок 3 иллюстрирует обратную зависимость

Зависимость коэффициента заполнения ШИМ D от желаемого угла проводимости R. Ось Y - это D, а осm X - радианы.
Рисунок 3. Зависимость коэффициента заполнения ШИМ D от желаемого
угла проводимости R. Ось Y – это D, а осm X – радианы.

Материалы по теме

  1. Datasheet onsemi H11D1M
  2. Datasheet Littelfuse Q6012LTH1LED
  3. Datasheet Nexperia BAS321

EDN

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Independent control of thyristor half-wave firing angles via PWM

27 предложений от 16 поставщиков
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторный; Uизол: 4,17кВ; Uce: 300В; DIP6
H11D1M
ON Semiconductor
от 69 ₽
Maybo
Весь мир
H11D1M
ON Semiconductor
81 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
H11D1M
LiteOn
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
H11D1M
Fairchild
по запросу
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя