Наименование модели: SPD18P06P G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.6 А, TO-252 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPD18P06P G SIPMOS ® Power-Transistor Features · Product Summary Drain source voltage ...
Наименование модели: SPD15P10P G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPD15P10P G SIPMOS Small-Signal-Transistor ® Product Summary V DS R DS(on),max ID ...
Наименование модели: SPD04P10PL G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 4.2 А, TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPD04P10PL G SIPMOS Power-Transistor ® Product Summary V DS R DS(on),max ID -100 ...
Наименование модели: IPD640N06L G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 18 А, TO-252 Спецификации: Continuous Drain Current Id: 18 А Drain Source Voltage Vds: 60 В On Resistance Rds(on): 0.047 Ом Rds(on) Test Voltage ...
Наименование модели: IPD600N25N3 G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 25 А, TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPD600N25N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Features · N-channel, normal level · ...
Наименование модели: IPD320N20N3 G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 34 А, TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPD320N20N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Features · N-channel, normal level · ...
Наименование модели: IPD110N12N3 G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 75 А, TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPD110N12N3 G IPS110N12N3 G %&$!#TM3Power-Transistor Features R ( 492 ??6= ?@ C == ...
Наименование модели: 2SD2675TL Производитель: Rohm Описание: Транзистор, NPN, 30 В, 1 А, SC-96 Спецификации: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В DC Collector Current: 1 А DC Current Gain: 270 Transition Frequency Typ ft: 320 МГц ...
Наименование модели: AUIRLR3915 Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N-CH, 55 В, 61 А, DPAK Спецификации: Continuous Drain Current Id: 30 А Drain Source Voltage Vds: 55 В On Resistance Rds(on): 0.012 Ом Rds(on) Test ...
Наименование модели: AUIRLR3105 Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N-CH, 55 В, 25 А, DPAK Спецификации: Continuous Drain Current Id: 25 А Drain Source Voltage Vds: 55 В On Resistance Rds(on): 0.03 Ом Rds(on) Test ...
Наименование модели: C3D04060E Производитель: Cree Описание: Шоттки выпрямитель, 4 А, 600 В TO-252 Скачать Data Sheet Спецификации: Diode Type: Schottky Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 600 В Forward Current If(AV): 4 А Forward Voltage VF Max: ...
Наименование модели: C3D02060E Производитель: Cree Описание: Silicon Carbide (SiC) диод Шоттки Скачать Data Sheet Спецификации: Diode Type: Zero Recovery Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm: 600 В Forward Current, If(AV): 2 А Forward Voltage Max, ...
Наименование модели: SUR50N03-06P Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SUR50N03-06P New Product Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) 175_C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ...
Наименование модели: SUD40N08-16 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N, D-PAK Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 40 А Drain Source Voltage Vds: 80 В On Resistance ...