N-канальные HEXFET-транзисторы 400 В Технология HEXFET является ключевой в усовершенствованной линейке силовых MOSFET-транзисторов HiRel компании International Rectifier. Эффективная геометрия и уникальная обработка этой новейшей «современной» ...
МОП-транзистор HEXFET Этот силовой МОП-транзистор HEXFET, специально разработанный для автомобильной промышленности, использует новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади ...
МОП-транзистор HEXFET Этот силовой МОП-транзистор HEXFET, специально разработанный для автомобильной промышленности, использует новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади ...
МОП-транзистор HEXFET Этот силовой МОП-транзистор HEXFET, специально разработанный для автомобильной промышленности, использует новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади ...
N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
Сверхмалошумящий HEMT FHX35LG — это транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT), предназначенный для усилителей общего назначения с низким уровнем шума и высоким коэффициентом усиления в диапазоне частот 2–18 ГГц. Это устройство упаковано в ...
Силовой МОП-транзистор -30 В - 50 А, 25 мОм, одиночный P-канал, логический уровень TO-220 Этот силовой МОП-транзистор предназначен для выдерживания высоких энергий в лавинном и коммутационном режимах. Энергоэффективная конструкция также включает ...
Силовой МОП-транзистор -30 В - 50 А, 25 мОм, одиночный P-канал, логический уровень TO-220 Этот силовой МОП-транзистор предназначен для выдерживания высоких энергий в лавинном и коммутационном режимах. Энергоэффективная конструкция также включает ...
Силовой МОП-транзистор -30 В - 50 А, 25 мОм, одиночный P-канал, логический уровень TO-220 Этот силовой МОП-транзистор предназначен для выдерживания высоких энергий в лавинном и коммутационном режимах. Энергоэффективная конструкция также включает ...
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
