N-канальные HEXFET-транзисторы 400 В Технология HEXFET является ключевой в усовершенствованной линейке силовых MOSFET-транзисторов HiRel компании International Rectifier. Эффективная геометрия и уникальная обработка этой новейшей «современной» ...
МОП-транзистор HEXFET Этот силовой МОП-транзистор HEXFET, специально разработанный для автомобильной промышленности, использует новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади ...
МОП-транзистор HEXFET Этот силовой МОП-транзистор HEXFET, специально разработанный для автомобильной промышленности, использует новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади ...
МОП-транзистор HEXFET Этот силовой МОП-транзистор HEXFET, специально разработанный для автомобильной промышленности, использует новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади ...
N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.