Линейка продуктов KEEN SIDE

Datasheets - Полевые транзисторы - 3

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Найдено: 8,176 Вывод: 41-60

Вид: Список / Картинки

  1. Мощный МОП-транзистор 100 В, 1,7 Ом, 0,7 А, одинарный P-канал
  2. Мощный МОП-транзистор 100 В, 1,7 Ом, 0,7 А, одинарный P-канал
Инновационные элементы питания GP: зарядись энергией в КОМПЭЛ!
  1. N-канальный полевой МОП-транзистор
  2. N-канальный полевой МОП-транзистор
  1. N-канальный полевой МОП-транзистор
  2. N-канальный полевой МОП-транзистор
  3. N-канальный полевой МОП-транзистор
  4. Полевой транзистор
  5. Малосигнальный МОП-транзистор 250 мА, 200 В, N-канал
  6. Малосигнальный МОП-транзистор 250 мА, 200 В, N-канал
  7. N-канальный MOSTET
  8. N-канальный МОП-транзистор
  9. N-канальные HEXFET-транзисторы 400 В Технология HEXFET является ключевой в усовершенствованной линейке силовых MOSFET-транзисторов HiRel компании International Rectifier. Эффективная геометрия и уникальная обработка этой новейшей «современной» ...
  10. МОП-транзистор HEXFET Этот силовой МОП-транзистор HEXFET, специально разработанный для автомобильной промышленности, использует новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади ...
  11. МОП-транзистор HEXFET Этот силовой МОП-транзистор HEXFET, специально разработанный для автомобильной промышленности, использует новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади ...
  12. МОП-транзистор HEXFET Этот силовой МОП-транзистор HEXFET, специально разработанный для автомобильной промышленности, использует новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади ...
  13. N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
  14. N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
  15. N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
  16. N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка