Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheets: SOT-363 - 10

Поиск по: "SOT-363"
Найдено: 212 Вывод: 181-200

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet 2N7002DW - Fairchild Даташит N CH полевой транзистор, 60 В, 115 мА, SOT-363
    Наименование модели: 2N7002DW Производитель: Fairchild Описание: N CH полевой транзистор, 60 В, 115 мА, SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2N7002DW -- N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor October 2007 2N7002DW ...
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов
  1. Datasheet PMGD8000LN - NXP Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SOT-363
    Наименование модели: PMGD8000LN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD8000LN Dual µTrenchMOSTM logic level FET MBD128 Rev. 01 -- 27 February 2003 Product data ...
  2. Datasheet PMGD780SN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 60 В, SOT363
    .. модели: PMGD780SN,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 60 В, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD780SN Dual N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. ...
  3. Datasheet PMGD400UN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 30 В, SOT363
    .. модели: PMGD400UN,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 30 В, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD400UN Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET ...
  4. Datasheet PMGD290XN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 20 В, SOT363
    .. модели: PMGD290XN,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 20 В, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD290XN Dual N-channel µTrenchMOSTM extremely low level ...
  5. Datasheet PMGD280UN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 20 В, SOT363
    .. модели: PMGD280UN,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 20 В, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD280UN Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET ...
  6. Datasheet DMN601DWK-7 - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, SOT-363
    Наименование модели: DMN601DWK-7 Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, NN CH, SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DMN601DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our ...
  7. Datasheet DMN5L06DWK-7 - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, SOT-363
    Наименование модели: DMN5L06DWK-7 Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, NN CH, SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DMN5L06DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features · · · · · · · · · · · ...
  8. Datasheet BSS84DW-7-F - Diodes Даташит Полевой транзистор p-канальный SOT-363
    Наименование модели: BSS84DW-7-F Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор p-канальный SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BSS84DW DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features · · · · · · Low ...
  9. Datasheet BSS8402DW-7-F - Diodes Даташит Полевой транзистор, NP, CH, 60 В, SOT-363
    Наименование модели: BSS8402DW-7-F Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, NP, CH, 60 В, SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BSS8402DW COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to ...
  10. Datasheet BSS138DW-7-F - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, 50 В, SOT-363
    Наименование модели: BSS138DW-7-F Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, NN CH, 50 В, SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BSS138DW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit ...
  11. Datasheet 2N7002PS - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.32 А, SOT363
    .. модели: 2N7002PS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.32 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2N7002PS 60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 1 ...
  12. Datasheet 2N7002DW-7-F - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.115 А, SOT-363
    Наименование модели: 2N7002DW-7-F Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.115 А, SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2N7002DW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features · · · · · ...
  13. Datasheet SI1551DL-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SOT-363
    Наименование модели: SI1551DL-T1-E3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Si1551DL Vishay Siliconix Complementary 20 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) ...
  14. Datasheet ATF-36163-BLKG - Avago Technologies Даташит Транзистор, GAAS, HI-FREQ
    Наименование модели: ATF-36163-BLKG Производитель: Avago Technologies Описание: Транзистор, GAAS, HI-FREQ Скачать Data Sheet Спецификации: Continuous Drain Current Id: 40 мА Drain Source Voltage Vds: 3 В Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В Рассеиваемая ...
  15. Наименование модели: PBSS5240Y,115 Производитель: NXP Описание: BISS транзистор, PNP, -40 В, -2 А, 6-SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET fpage MBD128 PBSS5240Y 40 V low VCEsat PNP transistor ...
  16. Наименование модели: PBSS8110Y,115 Производитель: NXP Описание: BISS транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 6-SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PBSS8110Y 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 -- 21 November 2009 Product ...
  17. Наименование модели: PBSS4240Y,115 Производитель: NXP Описание: BISS транзистор, NPN, 40 В, 2 А, 6-SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET fpage MBD128 PBSS4240Y 40 V low VCEsat NPN transistor ...
  18. Datasheet PBSS8110Y - NXP Даташит Транзистор, NPN, SOT-363
    Наименование модели: PBSS8110Y Производитель: NXP Описание: Транзистор, NPN, SOT-363 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В Частота единичного усиления типовая: 100 МГц Power ...
  19. Datasheet BFM520,115 - NXP Даташит TRANS NPN сдвоенный 70 мА 8 В SOT363
    .. модели: BFM520,115 Производитель: NXP Описание: TRANS NPN сдвоенный 70 мА 8 В SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFM520 Dual NPN wideband ...

Сортировать по: релевантность / дата

Поиск "SOT-363" в других поисковых системах: Везде-РадиоЛоцман DataSheet.ru
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка