Старые транзисторы в новых корпусах занимают площадь 0.6 кв. мм

Diodes анонсировала новое семейство малосигнальных биполярных транзисторов, выпускающихся в миниатюрном корпусе DFN размером 1 × 0.6 мм с электрическими характеристиками эквивалентными устройствам в значительно более крупных корпусах. Новые устройства специально предназначены для приложений переключения нагрузки и сигналов в смартфонах и других портативных приборах, имеющих ограничения по размерам печатной платы.

Так как потребители требуют повышенной функциональности даже при самом маленьком форм-факторе карманных гаджетов или других портативных компьютерных устройств, новое семейство продукции идеально подходит для широкого диапазона электронных устройств, включая камеры, портативные медиаплееры, гарнитуры Bluetooth и планшетные ПК, а так же смартфоны.

Предлагая десятикратное повышение плотности мощности, новые NPN и PNP биполярные транзисторы выпускаются в сверхминиатюрном корпусе DFN1006 площадью 0.6 мм² (в 13 раз меньше чем SOT23) и высотой 0.4 мм, что даже меньше промышленного стандарта. Кроме того, при габаритах в разы меньших, чем у транзисторов в эквивалентных выводных корпусах, таких как SOT323, SOT523 и SOT723, эти новые устройства имеют значительно лучшие температурные характеристики.

Малосигнальные биполярные транзисторы рассчитаны на допустимое напряжение от 15 до 50 В, могут работать в приложениях с частотой переключения до 250 МГц и способны выдерживать токи до 1 А, что делает их идеальными переключателями нагрузки. Устройства семейства имеют типичное сопротивление в открытом состоянии менее 300 мОм при токе 0.5 А, что сокращает электрические потери.