Infineon Technologies представила новый класс IGBT с малым напряжением насыщения, специально оптимизированных для работы на низких частотах от 50 Гц до 20 кГц. Типичными областями применения таких приборов могут быть бесперебойные источники питания, а также инверторы фотогальванических и сварочных систем. Новое семейство L5 основано на технологии TRENCHSTOP 5, использующей особо тонкие пластины, позволяющие получать очень низкие потери проводимости. Дополнительное снижение потерь достигается оптимизацией профиля распределения носителей заряда.
С типичным напряжением насыщения 1.05 В при 25 °C можно достичь новых уровней эффективности. Так, при замене IGBT TRENCHSTOP, предшествовавших семейству L5, на новые приборы, в тех же схемах можно повысить КПД на 0.1% при топологии NPC1 (для высоких частот коммутации), и на 0.3% при топологии NPC2 (для низких частот коммутации). Сочетание низкого напряжения насыщения с положительным температурным коэффициентом позволяет создавать высокоэффективные устройства путем параллельного включения нескольких IGBT. Используемая при изготовлении приборов нового семейства L5 технологическая основа TRENCHSTOP 5 не только обеспечивает беспрецедентно низкие потери проводимости, но и позволяет сократить общие потери переключения до 1.6 мДж при 25 °C. Совокупность перечисленных характеристик позволит увеличить КПД, повысить надежность и сократить размеры систем в низкочастотных приложениях.
Первые приборы нового семейства IGBT L5 были выпущены в стандартных для отрасли 3-выводных корпусах TO-247. Кроме того, для приложений, требующих еще большей эффективности, Infineon предлагает L5 в инновационных 4-выводных корпусах TO-247 с дополнительным эмиттерным выводом Кельвина. По сравнению со стандартным 3-выводным корпусом, 4-выводной позволяет снизить потери переключения еще на 20%. Таким образом, L5 в сочетании с 4-выводным корпусом TO-247, обеспечивая крайне низкие потери переключения, позволяют Infineon сохранять лидирующие позиции на рынке силовых инновационных продуктов, дифференцированных по областям применения.
Доступность
Новые транзисторы семейства L5 с низким напряжением насыщения выпускаются на токи 30 А и 75 А, как одиночные, так и содержащие в общих корпусах ультрабыстрые кремниевые диоды Rapid 1 и Rapid 2. Приборы с эмиттерным выводом Кельвина в 4-выводных корпусах TO-247 будут рассчитаны на рабочие токи 75 А.
