Запатентованная TDK новая технология антисегнетоэлектрических конденсаторов позволила создать устройства, емкость которых увеличивается с ростом приложенного напряжения.
Эта уникальная особенность делает конденсаторы CeraLink идеальным решением для снабберных приложений.
Благодаря исключительно низким значениям эквивалентной последовательной индуктивности (ESL) и эквивалентного последовательного сопротивления (ESR), конденсаторы CeraLink могут использоваться на высоких частотах переключения совместно с недорогими и более надежными полупроводниковыми приборами, например, с быстродействующими IGBT вместо MOSFET. Новейшие IGBT имеют отличное соотношение цена/качество, прежде всего, благодаря значительно более простой технологии производства, кристаллам, размеры которых нередко меньше, чем у MOSFET и высоким частотам переключения. Стоимость такого решения обычно примерно на треть меньше, чем решения на базе MOSFET. Более того, за счет снижения емкости конденсаторов, площади печатной платы, габаритов индуктивных компонентов и размеров радиаторов общая стоимость изделия может быть уменьшена более чем на 40%.
 |
| Изменение емкости конденсатора в зависимости от приложенного напряжения. |
При интеграции в систему конденсаторы CeraLink уменьшают риск повреждения полупроводников возникающими внутри устройства выбросами напряжения. Использование их в качестве демпфера позволяет полупроводникам постоянно оставаться в области безопасной работы.
Новое запатентованное решение
Многослойная конструкция конденсаторов, в которой недавно разработанный керамический материал объединен с медными внутренними электродами, дает очевидные преимущества как по стоимости, так и по параметрам технических решений.
Преимущества
- ESR, резко уменьшающееся с ростом температуры
- Очень низкое значение ESL
- Низкие потери в медных внутренних электродах позволяют использовать конденсаторы на более высоких частотах переключения, увеличивая скорость нарастания при больших токах
- Могут использоваться на частотах переключения до 1 МГц и более
- Диапазон рабочих температур, расширенный до +150 °C (соответствующий SiC/GaN приборам)
- Низкие потери на высоких частотах
- Поддерживают быстродействующие полупроводниковые приборы
- Позволяют на системном уровне уменьшить габариты силовой электроники
- Ультранизкий ток утечки, обусловленный правильно выбранным материалом
- Снижение потерь в диэлектрике при повышении частоты
- Выводы под пайку и для современной прессовой посадки
- Емкость увеличивается с ростом постоянного рабочего напряжения
- Компактный корпус с опциями для монтажа в типовые силовые модули для промышленного и автомобильного оборудования
- Доступны специальные типы для интеграции в силовые модули (IGBT, MOSFET, SiC)
Отличительные особенности
- Высокая удельная емкость
- исключительно низкие значения ESR и ESL
- Высокая плотность тока, эффективное подавление пульсаций напряжения
- Эффективная емкость возрастает с увеличением напряжения
- Работают в условиях повышенных температур
- Низкие потери на высоких частотах
- Поддерживают быстродействующие полупроводниковые приборы
- Обеспечивают дальнейшую миниатюризацию силовой электроники на системном уровне
Основные технические характеристики:
- Сопротивление изоляции более 1 ГОм гарантирует низкий ток утечки, особенно при повышенных температурах
- Очень низкое значение ESL: менее 3.5 нГ
- Диапазон рабочих температур от –40 °C до +125 °C (до +150 °C при кратковременном воздействии) позволяет использовать конденсаторы в SiС и GaN силовых модулях
Перевод: Алексей Ревенко по заказу РадиоЛоцман
