HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новые GaN транзисторы компании Cree заменят ЛБВ в радарных системах

Cree CGHV59350 CGHV31500F

Cree представила два лучших в отрасли GaN HEMT устройства (HEMT – high-electron-mobility transistor – транзистор с высокой подвижностью электронов), которые решат целый ряд старых проблем радиолокационных систем, использующих традиционные усилители на лампах бегущей волны (ЛБВ). Работающим при напряжении 50 В арсенид галлиевым твердотельным усилителям не нужны высоковольтные источники питания, необходимые в системах с ЛБВ и являющиеся источником частых отказов. Кроме того, такие твердотельные системы почти моментально готовы к работе, поскольку не требуют разогрева, имеют бóльшую дальность обнаружения и повышенную достоверность распознавания целей.

Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Cree - CGHV59350,  CGHV31500F

Нацелившись с самого начала на реализацию этих преимуществ, Cree смогла разработать два новых радиочастотных GaN транзистора с наивысшей мощностью и наилучшим КПД при небольших размерах корпуса. Первое устройство – 350-ватный полностью согласованный GaN HEMT C-диапазона, превосходит по мощности все приборы аналогичного класса, предлагаемые сегодня на рынке. Второй прибор – GaN HEMT, отдающий мощность 500 Вт в нагрузку 50 Ом, является самым мощным полностью согласованным транзистором S-диапазона среди приборов в корпусах такого же размера.

«Новые продукты C- и S-диапазонов компании Cree побили рекорды мощности и КПД для GaN силовых приборов в миниатюрных 50-омных корпусах. Эти энергоэффективные транзисторы позволяют создавать экономичные многокиловаттные усилители мощности, необходимые для военных радаров, а также для радаров контроля погоды и воздушного трафика, – сказал Том Деккер (Tom Dekker), директор по продажам и маркетингу подразделения радиочастотных продуктов компании Cree. – По такому показателю качества, как отношение выходной радиочастотной мощности к площади 50-омного корпуса, 350-ваттное устройство C-диапазона превосходит ближайшие коммерческие транзисторы конкурентов приблизительно в 3.5 раза. Использование такого же критерия качества применительно к 500-ваттным приборам S-диапазона показывает, что эти транзисторы компании Cree обошли все аналогичные коммерческие продукты более чем на 45 процентов».

При типичной импульсной мощности в режиме насыщения более 400 Вт, транзистор CGHV59350 найдет применение в системах наземных военных и доплеровских метеорологических радиолокаторов. Полностью согласованный 50-омный GaN HEMT, выпускаемый в стандартном корпусе размером 17.8 × 22.9 мм, работает в диапазоне частот от 5.2 до 5.9 ГГц и имеет типовой КПД стока 60%.

Основной областью применения прибора CGHV31500F, отдающего в режиме насыщения импульсную мощность 700 Вт, будут радарные системы управления воздушным движением. Полностью согласованный 50-омный GaN HEMT, предназначенный для диапазона частот от 2.7 до 3.1 ГГц, имеет усиление по мощности 12 дБ и выпускается в стандартном для отрасли металлокерамическом корпусе размером 17.8 × 22.9 мм.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Cree Confronts TWT Radar System Issues with Record-Breaking High-Power RF Devices

6 предложений от 6 поставщиков
RF MOSFET HEMT 50V 440217
AiPCBA
Весь мир
CGHV59350F-TB
Wolfspeed
58 356 ₽
ChipWorker
Весь мир
CGHV59350F
Cree
115 265 ₽
ЭИК
Россия
CGHV59350F
Cree
272 926 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
CGHV59350F
11 990 843 ₽
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя