Новая технология LDMOS компании NXP ускорит разработку мощных радиочастотных устройств

При создании флагманского 1800-ваттного транзистора основной акцент делался на простоту использования

NXP Semiconductors анонсировала завершение разработки новой LDMOS (МОП с поверхностной диффузией) технологии создания радиочастотных транзисторов с рабочим напряжением до 65 В. Эта заметная прибавка к напряжению открывает дорогу новому поколению продуктов: транзисторам серии MRFX.

В связи с все более широким использованием радиочастот в различных промышленных приложениях, NXP предоставляет конструкторам мощных радиочастотных устройств средства сокращения цикла разработки:

• Бóльшая мощность:
  Повышенное рабочее напряжение позволяет увеличить выходную мощность и, сократив количество транзисторов выходного каскада, упростить конструкцию усилителей мощности и уменьшить их размеры.
   
• Меньшее время разработки:
  Благодаря более высокому напряжению, можно увеличить выходную мощность, сохранив приемлемый уровень выходного импеданса. Это упрощает 50-омное согласование, особенно в широкополосных приложениях. Простота согласования существенно сокращает время разработки.
   
• Повторное использование конструкции:
  Простота согласования и совместимость по выводам с существующими 50-вольтовыми LDMOS транзисторами дают разработчикам радиочастотных устройств возможность повторно использовать существующие печатные платы и, таким образом, дополнительно сократить время выхода на рынок.
   
• Контролируемый уровень тока:
  Повышенное напряжение снижает ток системы, ограничивая нагрузку на источники питания и уменьшая магнитные излучения.
   
• Широкий диапазон безопасных режимов:
  Пробивное напряжение транзисторов, изготовленных по 65-вольтовой LDMOS технологии NXP, равно 182 В, что повышает надежность и позволяет реализовывать более эффективные конструктивные решения.

Первым в серии MRFX появился MRFX1K80 – самый мощный в отрасли прибор среди всех радиочастотных транзисторов, способных работать в режиме усиления непрерывных колебаний. В приложениях, работающих на частотах от 1 до 470 МГц, устройство отдает непрерывную мощность 1800 Вт при напряжении питания 65 В и выдерживает стоячую волну напряжения при КСВ, достигающем 65:1.

MRFX1K80 ориентирован на использование в промышленных, научных и медицинских приложениях для формирования лазерного излучения, плазменного травления, магниторезонансной визуализации, лечения кожи и диатермии, а также ускорения заряженных частиц и иных научных целей. Кроме того, MRFX1K80 хорошо подходит для вещательных передатчиков радио и телевидения УКВ диапазона. Помимо этого, высокий уровень управляемости, присущий твердотельным приборам, позволит улучшить технические характеристики промышленных нагревательных установок, сварочного оборудования или сушильных агрегатов, в которых до сих пор используются электровакуумные приборы.

Доступность и средства поддержки разработки

В настоящее время мелкими партиями выпускается транзистор MRFX1K80H в керамическом корпусе с воздушной полостью, а начало серийного производства ожидается в августе 2017 года. Доступны также оценочные схемы для приложений диапазонов 27 МГц и 87.5-108 МГц. В ближайшее время NXP представит версию транзистора, опрессованного в пластмассовый корпус (MRFX1K80N). За дополнительной информацией следует обращаться в местные представительства авторизованных дистрибьюторов NXP.

Оценочная схема для приложений диапазона 27 МГц.