Выпущенная SII Semiconductor серия зарядовых насосов S-8880A предназначена для запуска повышающих DC/DC преобразователей и позволяет приложениям работать при сверхнизкой мощности и сверхнизком входном напряжении. Использование оригинальной схемотехники и технологии кремний-на-изоляторе позволили создать повышающий зарядовый насос с наименьшим в отрасли минимальным входным напряжением 0.35 В, добившись способности работать при ничтожной мощности 26 мкВт.
Энергия для запуска накапливается во внешнем конденсаторе, который начинает разряжаться, как только напряжение на его обкладках достигнет уровня начала разряда VCPOUT1, отдавая при этом заряд повышающему DC/DC преобразователю. Благодаря встроенной функции отключения, работа зарядового насоса прекращается, как только выходное напряжение повышающего DC/DC преобразователя превысит заданный порог, тем самым, обеспечивая значительную экономию энергии и снижение энергопотребления устройств.
 |
| Типовая схема включения. |
Микросхема содержит встроенные переключаемые конденсаторы, что позволяет формировать цепи запуска повышающего DC/DC преобразователя добавлением лишь одного внешнего конденсатора и способствует миниатюризации устройств.
Особенности серии S-8880A
- Ультранизкие рабочие напряжение и мощность: типовое значение входной мощности для запуска составляет 26 мкВт при входном напряжении 0.35 В, VCPOUT1 = 1.8 В и температуре окружающей среды Та = +25 °C;
- Минимальное рабочее входное напряжение:
- 0.35 В (VCPOUT1 = 1.8 В, Та = +25 °C),
- 0.39 В (VCPOUT1 = 1.8 В … 2.4 В, Та = −40 °C … +85 °C);
- Потребление тока во время работы: 75 мкА (тип.) при входном напряжении 0.35 В;
- Начальное напряжение разряда: VCPOUT1 = 1.8 В … 2.4 В (выбирается с шагом 0.2 В);
- Напряжение выключения: VCPOUT1 + 0.1 В (внутренняя установка);
- Внешние компоненты: один запускающий конденсатор;
- Диапазон рабочих температур окружающей среды: от −40 °C до +85 °C;
- Не содержат галогенов и свинца.
Области применения
- Повышение напряжения низковольтных источников питания;
- Повышение напряжения внутреннего источника питания радиочастотных меток;
- Питание систем с прерывистым режимом работы;
- Сбор энергии.
