RF Microdevices запустила в серию первые усилительные микросхемы и транзисторы, выполненные по технологии нитрида галия. RF3931, RF3826 и RFHA1000.
Эти позиции открывают на производстве RFMD целую серию полупроводниковых компонент высокой мощности нового поколения.
Основными применениями данных микросхем являются:
- Выходные каскады усиления базовых станций беспроводных приложений GSM и WiMAX
- Радиостанции, в том числе двойного применения
- РЛС различного применения
Основные характеристики микросхем приведены ниже:
RF3931:
- Частотный диапазон DC…4 ГГц
- Коэфф. усиления 15 дБ
- Напряжение питания 48 В
- Выходная мощность по уровню P3 30Вт
- Температурный диапазон -40 + 85 °С.
RFHA1000:
- Частотный диапазон 100 МГц …1 ГГц
- Коэфф. усиления > 16 дБ
- Напряжение питания 28 В
- Выходная мощность по уровню P3 12 Вт
- Температурный диапазон -40 + 85 °С.
RF3826:
- Частотный диапазон 30 МГц…2.5 ГГц
- Коэфф. усиления 13 дБ
- Напряжение питания 28 В
- Выходная мощность по уровню P3 9 Вт
- Температурный диапазон -40 + 85 °С.
В ближайшее время планируется запустить в серию GaN компоненты на более высокие уровни мощности.