К числу целевых приложений SiC MOSFET на напряжение 650 В производства Infineon относятся системы электропитания, в которых требуется обеспечить КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может возникнуть режим жестких переключений, а также мощное силовое оборудование.
В связи с ростом привлекательности карбид-кремниевой технологии для более низковольтных приложений разработчики должны хорошо понимать, в каких случаях классические кремниевые MOSFET следует заменять транзисторами, изготавливаемыми по новой технологии.
В результате постоянного совершенствования импульсных источников питания (ИИП) их КПД достиг максимального значения, которое может обеспечить классическая кремниевая (Si) технология. Этому способствовали внедрение новых технологических процессов изготовления полупроводниковых приборов, применение новых методов проектирования, а также использование новых топологий импульсных источников питания (ИИП). В последние годы были разработаны технологии создания полупроводниковых материалов с большой шириной запрещенной зоны, в том числе карбид-кремниевая (SiC) технология. Полупроводниковые компоненты, изготовленные по этой технологии, обладают рядом характеристик, позволяющих разработчикам создавать более эффективные устройства. Однако необходимо учитывать, что такие компоненты имеют большую стоимость по сравнению с изготавливаемыми по традиционной технологии. С того момента, как в дополнение к существующим SiC MOSFETна 1200 В появились 650-вольтовые компоненты, применение карбид-кремниевых полупроводниковых приборов стало оправданным даже в тех приложениях, которые ранее даже не рассматривались в этом контексте.
