Diodes Incorporated представила первые MOSFET транзисторы из нового семейства приборов в миниатюрных корпусах DFN3020. Из трех приборов, два представляют собой сдвоенные N-канальные транзисторы с предельным напряжением 20 и 30 В (ZXMN2AMC и ZXMN3AMC, соответственно), а один – комплементарную пару на напряжение 30 В (ZXMC3AMC). По сравнению с сопоставимыми по электрическим характеристикам аналогами, эти сдвоенные приборы занимают на плате площадь на 70% меньше, чем два транзистора в корпусах SOT-23.
При размерах всего 3 × 2 × 0.8 мм, транзисторы имеют площадь корпуса на 40% меньше, чем компоненты в корпусах SOT-23 или TSOP-6, и являются отличным выбором для коммутаторов нагрузки или повышающих преобразователей напряжения в портативной аппаратуре, включая планшетные компьютеры и ноутбуки. Помимо этого, комплементарные пары могут прекрасно выполнять функции полумоста в драйверах двигателей и других промышленных приложениях.
Тепловое сопротивление корпус-среда, равное 83 °C/Вт, означает, что при постоянной рассеиваемой мощности до 2.4 Вт транзисторы в корпусах DFN3020 будут холоднее, чем работающие в таких же условиях транзисторы в корпусах SOT-23, а надежность, соответственно, выше.
Электрические характеристики транзисторов
|
Транзистор
|
||||
|
N
|
P
|
|||
|
Тип
|
N
|
N+P
|
||
|
Корпус
|
DFN3020B-8
|
|||
|
Диод ESD защиты
|
нет
|
|||
|
VDS
|
20 В
|
30 В
|
30 В
|
–30 В
|
|
VGS
|
±12 В
|
±20 В
|
±20 В
|
|
|
IDS @ TA = 25 ºC
|
3.7 А
|
3.7 А
|
–2.7 А
|
|
|
PD @ TA = 25 ºC
|
2.45 Вт
|
|||
|
RDS(on) макс. @ VGS = 10 В
|
|
120 мОм
|
120 мОм
|
210 мОм
|
|
RDS(on) макс. @ VGS = 4.5 В
|
120 мОм
|
180 мОм
|
180 мОм
|
330 мОм
|
|
RDS(on) макс. @ VGS = 2.5 В
|
300 мОм
|
|
|
|
|
Ciss тип. @ VDS = 10 В
|
299 пФ
|
190 пФ
|
190 пФ
|
206 пФ
|
|
Qg тип. @ VGS = 4.5 В
|
3.1 нКл
|
2.3 нКл
|
2.3 нКл
|
3.8 нКл
|
|
Qg тип. @ VGS = 10 В
|
|
3.9 нКл
|
3.9 нКл
|
6.4 нКл
|
