Сертифицированное по стандарту AEC-Q101 устройство с лучшим в отрасли фактором качества в компактном корпусе PowerPAK SO-8L с выводами в виде крыла чайки Vishay Intertechnology представила лучший в мире p-канальный 80-вольтовый TrenchFET MOSFET, ...
Industry-Best FOM AEC-Q101 Device Offered in Compact PowerPAK® SO-8L Package With Gullwing Leads Vishay Intertechnology introduced the world’s best AEC-Q101 qualified p-channel 80 V TrenchFET® MOSFET. With the lowest on-resistance of ...
Холдинг Росэлектроника Госкорпорации Ростех выпустил пятимиллиардный геркон. Изделия экспортируются в 55 стран мира, обеспечивая долю в 14% глобального рынка. Герконы широко применяются в бытовой технике, автомобильной, медицинской и ...
Infineon представила транзисторы StrongIRFET 2 новое поколение силовых MOSFET с допустимыми напряжениями 80 В и 100 В. Благодаря широкой доступности у партнеров-дистрибьюторов и отличному соотношению цены и качества, у разработчиков не будет ...
Infineon Technologies has launched StrongIRFET™ 2 the new generation of power MOSFET technology in 80 V and 100 V. Featuring broad availability at distribution partners and excellent price/performance ratio make these right-fit products an ...
В компактном полумосте LFPAK56D, предназначенном для использования в трансмиссии, системах управления двигателем и DC/DC преобразователях, на 60% снижена паразитная индуктивность и улучшены тепловые характеристики Nexperia анонсировала серию ...
Space-saving LFPAK56D half-bridge offers 60% lower parasitic inductance and improved thermal performance for power train, motor control and DC/DC application Nexperia announced a series of half-bridge (high side low side) automotive MOSFETs ...
Превосходные коммутационные характеристики и повышенная надежность обеспечивают увеличение плотности мощности в различных сложных приложениях ON Semiconductor анонсировала новую линейку карбидокремниевых (SiC) MOSFET для ответственных приложений, ...
Superior switching and improved reliability deliver power density improvements in a variety of challenging applications ON Semiconductor has announced a new range of silicon carbide (SiC) MOSFET devices for demanding applications where power ...
Лучшая в своем классе защита от электростатических разрядов для интерфейсов USB3.2 и HDMI2.1 Nexperia анонсировала три новых защитных устройства TrEOS, обеспечивающих наиболее компактное решение для подавления электростатических разрядов на линиях ...
Best-in-class ESD and system robustness for USB3.2 and HDMI2.1 Nexperia announced three new TrEOS protection devices that provide the most compact method to suppress ESD in USB3.2, HDMI2.1 and other high-speed data lines. The new PUSB3BB2DF , ...
Первое в отрасли устройство в компактном корпусе PowerPAK SO-8L размером 5 мм × 6 мм с выводами типа крыло чайки с сопротивлением открытого канала всего 30 мОм Vishay Intertechnology представила новый p-канальный TrenchFET MOSFET, отвечающий ...
Industry-First Device in Compact 5 mm × 6 mm PowerPAK® SO-8L Package With Gullwing Leads Offers On-Resistance Down to 30 mΩ Vishay Intertechnology introduced a new AEC-Q101 qualified p-channel 100 V TrenchFET® MOSFET designed to ...
Допустимый рабочий ток выпущенных STMicroelectronics 800-вольтовых симисторов семейства 8H не снижается даже при максимальной температуре перехода 150 C, что позволяет до 50% уменьшить площадь теплоотводов и создавать драйверы нагрузок переменного ...
STMicroelectronics’ 800 V 8H Triacs operate at full rated current up to the maximum junction temperature of 150 C, allowing heatsinks in drives for AC loads to be up to 50% smaller to combine compact dimensions with high reliability. Suited ...
Alpha and Omega Semiconductor (AOS) объявила о выпуске новых 150-вольтовых MOSFET AOTL66518 и AOB66518L с низкими сопротивлениями открытых каналов и широкой областью безопасной работы (SOA), предназначенных для приложений горячей замены в ...
Alpha and Omega Semiconductor announced the release of, AOTL66518 and AOB66518L , a 150 V MOSFET with low on-resistance and a high Safe Operating Area (SOA) capability designed for demanding applications in Telcom Hot Swap. AOS designed these ...
N-канальное устройство четвертого поколения, снижая потери проводимости и переключения, увеличивает КПД системы питания Vishay Intertechnology дополнила новым устройством семейство 600-вольтовых MOSFET четвертого поколения серии EF с ...
Fourth-Generation N-Channel Device Lowers Conduction and Switching Losses, Increases Efficiency Vishay Intertechnology introduced a new device in its fourth generation of 600 V EF Series fast body diode MOSFETs. Providing high efficiency for ...
