Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Дискретные компоненты - 4

Подраздел: "Дискретные компоненты"
Найдено: 458 Вывод: 31-40
  1. Дискретные компоненты Силовая электроника ON Semiconductor NVBG015N065SC1 NTBG015N065SC1 NVH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1
    Превосходные коммутационные характеристики и повышенная надежность обеспечивают увеличение плотности мощности в различных сложных приложениях ON Semiconductor анонсировала новую линейку карбидокремниевых (SiC) MOSFET для ответственных приложений, ...
    Superior switching and improved reliability deliver power density improvements in a variety of challenging applications ON Semiconductor has announced a new range of silicon carbide (SiC) MOSFET devices for demanding applications where power ...
    22 февраля 2021
  2. Дискретные компоненты Nexperia PUSB3BB2DF PESD5V0C2BDF PESD4V0Z2BCDF
    Лучшая в своем классе защита от электростатических разрядов для интерфейсов USB3.2 и HDMI2.1 Nexperia анонсировала три новых защитных устройства TrEOS, обеспечивающих наиболее компактное решение для подавления электростатических разрядов на линиях ...
    Best-in-class ESD and system robustness for USB3.2 and HDMI2.1 Nexperia announced three new TrEOS protection devices that provide the most compact method to suppress ESD in USB3.2, HDMI2.1 and other high-speed data lines. The new PUSB3BB2DF , ...
    4 февраля 2021
  1. Первое в отрасли устройство в компактном корпусе PowerPAK SO-8L размером 5 мм × 6 мм с выводами типа крыло чайки с сопротивлением открытого канала всего 30 мОм Vishay Intertechnology представила новый p-канальный TrenchFET MOSFET, отвечающий ...
    Industry-First Device in Compact 5 mm × 6 mm PowerPAK® SO-8L Package With Gullwing Leads Offers On-Resistance Down to 30 mΩ Vishay Intertechnology introduced a new AEC-Q101 qualified p-channel 100 V TrenchFET® MOSFET designed to ...
    13 января 2021
  2. Допустимый рабочий ток выпущенных STMicroelectronics 800-вольтовых симисторов семейства 8H не снижается даже при максимальной температуре перехода 150 C, что позволяет до 50% уменьшить площадь теплоотводов и создавать драйверы нагрузок переменного ...
    STMicroelectronics’ 800 V 8H Triacs operate at full rated current up to the maximum junction temperature of 150 C, allowing heatsinks in drives for AC loads to be up to 50% smaller to combine compact dimensions with high reliability. Suited ...
    10 января 2021
  1. Alpha and Omega Semiconductor (AOS) объявила о выпуске новых 150-вольтовых MOSFET AOTL66518 и AOB66518L с низкими сопротивлениями открытых каналов и широкой областью безопасной работы (SOA), предназначенных для приложений горячей замены в ...
    Alpha and Omega Semiconductor announced the release of, AOTL66518 and AOB66518L , a 150 V MOSFET with low on-resistance and a high Safe Operating Area (SOA) capability designed for demanding applications in Telcom Hot Swap. AOS designed these ...
    29 декабря 2020
  2. N-канальное устройство четвертого поколения, снижая потери проводимости и переключения, увеличивает КПД системы питания Vishay Intertechnology дополнила новым устройством семейство 600-вольтовых MOSFET четвертого поколения серии EF с ...
    Fourth-Generation N-Channel Device Lowers Conduction and Switching Losses, Increases Efficiency Vishay Intertechnology introduced a new device in its fourth generation of 600 V EF Series fast body diode MOSFETs. Providing high efficiency for ...
    7 декабря 2020
  3. Ampleon анонсировала выпуск мощного 250-ваттного радиочастотного транзистора BLP2425M10S250P для твердотельных систем приготовления пищи, а также для промышленных, научных и медицинских (ISM) приложений, использующих диапазон частот от 2400 МГц до ...
    Ampleon announced the BLP2425M10S250P , a 250 W RF power transistor for solid-state cooking and industrial, scientific and medical (ISM) applications in the 2400 MHz to 2500 MHz frequency band. Using Ampleon’s tenth-generation LDMOS process, ...
    30 ноября 2020
  4. За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC практически ...
    25 ноября 2020
  5. EPC предлагает разработчикам 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор EPC2059 с сопротивлением открытого канала 6.8 мОм более миниатюрный, эффективный, надежный и дешевый, чем устройства, доступные в настоящее время Новый 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор ...
    EPC introduces 170 V, 6.8 milliohm EPC2059 eGaN® FET, offering designers a device that is smaller, more efficient, more reliable, and lower cost than currently available devices for high performance 48 V synchronous rectification. Efficient ...
    22 ноября 2020
  6. Оптимизированы для мощных источников питания серверов и солнечных инверторов с высокой плотностью монтажа Alpha and Omega Semiconductor (AOS) анонсировала выпуск быстродействующего 600-вольтового MOSFET с суперпереходом в корпусе TOLL для ...
    Optimized for High-Density, High-Power Server Power Supplies, and PV Inverters Alpha and Omega Semiconductor (AOS) announced the release of a Fast Switching 600 V αMOS5™ Super Junction MOSFETs in SMD-type TOLL Package. αMOS5 is ...
    19 ноября 2020
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка