Доцент кафедры электроники и электротехники Новосибирского государственного технического университета НЭТИ кандидат технических наук Максим Жарков разработал стартер-генераторную систему на основе трехкаскадного синхронного генератора она ...
Предприятия Госкорпорации Росатом приступили к разработке ключевых решений для линейки российских электромобилей АТОМ. В частности, производитель систем накопления электроэнергии на литий-ионных аккумуляторах ООО РЭНЕРА (входит в Топливную компанию ...
Компания Рубрукс РНД , разработчик систем и компонентов для гибридного и электротранспорта, полностью локализовала производство тягового инвертора в России. Это самый наукоемкий узел в конструкции, который приводит электромобиль в движение, ...
Заместитель заведующего кафедрой электроники и электротехники Новосибирского государственного технического университета НЭТИ кандидат технических наук Алексей Удовиченко создал механизм для устранения несимметрии напряжения. Разработка снизит риск ...
Воронежский НИИ электронной техники сообщает о начале приема заказов на серийно выпускаемые силовые транзисторы серии ТНГ-К на основе нитрида галлия в металлокерамических и пластиковых корпусах. Нитрид-галлиевая технология одно из наиболее ...
Ученые и инженеры Новосибирского государственного технического университета НЭТИ разрабатывают зарядные станции для электромобилей, которые способны заменить иностранные аналоги. Уникальность технического решения состоит в том, что зарядную станцию ...
Ученые Нового физтеха ИТМО и петербургский производитель зарядных станций для электротранспорта Яблочков разработали и испытали прототип первой в России системы беспроводной зарядки для электротранспорта. Благодаря единому стандарту беспроводной ...
Научно-исследовательская лаборатория Элементная база силовой электроники на основе нитрида галлия (НИЛ ЭБСЭ) откроется на базе Научно-образовательного центра Зондовая микроскопия и нанотехнология (НОЦ ЗМНТ). В ней будут разрабатываться новые ...
Группа российских ученых Университета МИСИС и компания Совершенные кристаллы первая в мире получила двумерный дырочный газ в гетероструктурах на новом широкозонном полупроводнике к-оксиде галия, с предсказанными свойствами. Как отмечают ...
Компания EPC представила 150- и 200-вольтовые GaN МОП-транзисторы EPC2305 и EPC2304 с сопротивлениями открытых каналов 3 мОм и 5 мОм, соответственно, в корпусах QFN размером 3 мм × 5 мм со сниженным тепловым сопротивлением и открытым ...
EPC introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs in a thermally enhanced QFN package with exposed top and tiny 3 mm × 5 mm footprint. These devices are the lowest on-resistance (R DS(on) ) FETs in the market at 150 ...
