Муфты электромонтажные от производителя Fucon
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Память - 13

Подраздел: "Память"
Найдено: 145 Вывод: 121-130
  1. Новая 70-нанометровая технология подобна 80-нм и 90-нм процессам, в настоящее время используемым Samsung при производстве большинства видов памяти DRAM, однако полезный выход чипов с одной пластины по меньшей мере на 100% выше, чем можно получить с ...
    Samsung Electronics announced that it has completed development of the world-first 512-Megabit (Mb) DDR2 SDRAM using 70-nanometer process, the smallest process technology yet applied to a DRAM device. The new 70nm technology maintains continuity ...
    06-11-2005
  2. Первые образцы изготовлены по 90-нанометровой технологии MirrorBit™ Spansion LLC объявила о предоставлении клиентам первых образцов одномодульных гигабитных устройств флэш-памяти для встроенных систем. Новые гигабитные модули, изготовленные ...
    First Samples Based on 90-Nanometer MirrorBit Technology Spansion LLC announced it is sampling the world’s first single-chip 1 gigabit (Gb) NOR Flash memory device to customers in the embedded market. Based on 90-nanometer (nm) ...
    17-10-2005
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. Подразделение полупроводников объявило об отгрузках первых образцов карт памяти формата MultiMediaCard (MMC) емкостью 1 Гбайт, карт формата MMCplus емкостью 2 Гбайт, а также первых в мире карт формата MMCmobile емкостью 1 Гбайт. Компания Samsung ...
    Samsung Electronics Co. announced that it is sampling Gigabyte (GB) MultiMediaCards (MMCs) with customers: 1GB and 2GB MMC plus cards, and the industry's first 1GB MMC mobile card. The higher densities and faster speeds of Samsung's Version 4.1 ...
    01-10-2005
  2. По результатам июля приблизительно 40% всей выпускаемой компанией динамической памяти составили чипы типа DDR2, впервые превысив объемы выпуска памяти типа DDR1. Компания Samsung Electronics объявила о своей готовности возглавить переход индустрии ...
    Samsung Electronics announced that it is leading the industry shift from DDR1 (Double Data Rate 1) to DDR2 main memory. As of July, approximately 40 percent of the company's total DRAM (Dynamic Random Access Memory) output is DDR2 and approximately ...
    28-09-2005
  1. Модули NOR и ORNAND емкостью 1 Гбит позволят значительно повысить емкость памяти беспроводных устройств и встроенных систем Spansion LLC продемонстрировала образец однокристального модуля GL NOR емкостью 1 Гбит, а также действующий образец модуля ...
    1 Gb NOR and ORNAND Devices Expand Code and Data Storage Capabilities For Wireless and Embedded Applications Spansion LLC showed silicon of its single-chip 1 Gbit (Gb) GL NOR Flash memory and demonstrated working silicon of its 1Gb ORNAND Flash ...
    27-09-2005
  2. Новое решение Spansion позволяет сократить размер и расширить функциональность беспроводных устройств Spansion LLC объявила о предоставлении клиентам образцов флэш-памяти формата Package-on-Package (PoP) для миниатюрных и в то же время ...
    Spansion's Solution Reduces Form Factors as Devices Adopt New Features Spansion LLC announced it is shipping Package-on-Package (PoP) Flash memory samples to customers that will enable them to deliver sleek, feature-rich wireless phones, PDAs, ...
    22-09-2005
  3. Память Micron MT9P001 MT9T012
    Компания Micron Technology анонсировала два новых CMOS-сенсора с высоким разрешением. Сенсор MT9P001 имеет разрешение 5 Мп, а MT9T012 - 3,1 Мп. В новых сенсорах используется патентованная технология DigitalClarity, которая обеспечивает чёткие и ...
    17-09-2005
  4. Ведущие производители флэш-памяти и интегральных схем объединили свои усилия для выпуска флэш-памяти на основе 110-нанометровой технологии Spansion MirrorBit Spansion LLC , дочерняя компания AMD и Fujitsu Limited , занимающаяся разработкой ...
    Leading Flash and Foundry Suppliers Partner to Supplement Manufacturing for Spansion's 110 Nanometer MirrorBit Technology Spansion LLC , the Flash memory venture of AMD and Fujitsu Limited , and Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) ...
    19-08-2005
  5. Samsung Electronics, представил чип DRAM для мобильных телефонов емкостью 1Гб, а также пять других открытий Среди представленных продуктов компании Samsung Electronics : SiP («все в одном» — система-в-корпусе) c 300 MHZ центральным процессором; ...
    Samsung Electronics Co. demonstrated the 1Gigabit (Gb) mobile DRAM, and unveiled five other leading edge mobile technologies The Samsung's advancements announced included: System-in-Package (SiP) with a 300MHz mobile CPU; 1Gigabit (Gb) NAND flash ...
    22-04-2005
  6. Компания Samsung Electronics объявила о начале массового выпуска самых маленьких флэш-карт для портативных устройств Новая флэш-карта размером с человеческий ноготь была разработана специально для мобильных телефонов с современными мультимедийными ...
    Samsung Electronics Co. , announced that it has begun mass-production of the smallest memory card available for mobile phones. The MMC micro device can read data at 10MBps (megabytes per second) and write at 7MBps, which is 3.5 times faster than ...
    19-04-2005
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России