Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Новости: Память

Найдено: 128   Вывод: 91-100
  1. 23A256-I/P последовательная память с объемом 256 кбит и организацией 32,768 х 8 бит. Доступ к памяти осуществляется посредством последовательной шины SPI. Для доступа к памяти необходимы следующие сигналы: тактовая частота (SCK), раздельные входная ...
    Память » Microchip » 23A256-I/P
    01-04-2009
  2. Компания Micron Technology анонсировала производство высокоемких микросхем памяти типа BA NAND (Block Abstracted NAND). BA NAND представляет собой комбинацию многоуровневой флэш-памяти (MLC NAND) и контроллера памяти в одном корпусе. Контроллер ...
    23-03-2009
  3. Компания Micron Technology представила высокоэффективную мобильную память LPDDR2 (low power DDR2), которая призвана увеличить производительность и снизить энергопотребление мобильных устройств, таких как телефоны, смартфоны, КПК. LPDDR2 является ...
    Память » Micron » LPDDR2
    18-02-2009
  4. Компания Ramtron International представила FM24L256 , микросхему 2,7-3,6 В энергонезависимой F-RAM-памяти с высокоскоростным последовательным I2C-интерфейсом. Микросхема FM24L256 предлагает высококачественный сбор и хранение данных в крохотном ...
    Память » Ramtron » FM24L256
    12-02-2009
  5. Компания Micron Technology представляет NAND-flash память с последовательным доступом по шине SPI на скорости до 2.64 Мб/с. Новая разработка имеет объем 1 Гбит и позволяет дешево и просто наращивать объемы памяти во встраиваемых системах, предлагая ...
    15-12-2008
  6. Компания Ramtron выпустила первую параллельную микросхему из своего семейства последовательных и параллельных F-RAM-микросхем, которые обеспечивают высокую скорость чтения/записи, имеют пониженное напряжение питания и выполняют дополнительные ...
    Память » Ramtron » FM28V100
    30-11-2008
  7. Компания Micron Technology сообщила сегодня о том, что начала поставки ознакомительных образцов новой памяти стандарта DDR2, которые имеют плотность 1 Гбит. Такая плотность была достигнута Micron уже раньше, особенностью новых чипов стал новый ...
    12-12-2007
  8. Компания Maxim Integrated Products представила DS28CN01 - новое высокоинтегрированное защищенное запоминающее устройство. В ходе аутентификации DS28CN01 использует двунаправленный механизм защиты, который работает по типу запрос-ответ и применяет ...
    Maxim Integrated Products introduces the DS28CN01 , a new highly integrated secure memory device. The DS28CN01 provides bidirectional challenge-and-response authentication protection by using the internationally recognized SHA-1 (Secure Hash ...
    Память » Maxim » DS28CN01
    14-11-2007
  9. STMicroelectronics анонсировала новые возможности микросхемы М25РХ32. Эта новая 32 мегабитная память является первой из семейства секторно, подсекторно стираемой двухвходовой (DUAL IO - с двойным входомвыходом) памяти с доступом по ...
    13-09-2007
  10. Японская компания Fujitsu Limited сообщила о начале серийного выпуска чипов сегнетоэлектрической памяти (FRAM) емкостью 2 Мбит: MB85R2001 (256 K x 8) и MB85R2002 (128 К x 16). Напомним, что в основе этого типа энергонезависимой памяти лежит ...
    Fujitsu Limited announced the availability of its 2 Megabit (Mbit) FRAM memory chips, the largest capacity FRAM in volume production in the world. The two FRAM memory products, MB85R2001 and MB85R2002, have the characteristics of FRAM which is a ...
    Память » Fijitsu » MB85R2001, MB85R2002
    19-04-2007
 Страницы:
 1    2    3    4    5    6    7    8    9    10    ... 

Тестируем литиевые батарейки Fanso при температуре -40С
Molex: соединения, связь, инновации
Срезы ↓
Закажи печатные платы, комплектующие получи бесплатно

Рейтинг@Mail.ru