РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Память - 3

Подраздел: "Память"
Найдено: 132 Вывод: 21-30
  1. Финская компания VLSI Solution сообщила о доступности микросхемы универсального статического запоминающего устройства (SRAM) VS23S040 с интерфейсом SPI и наибольшей емкостью среди аналогичных устройств, предлагаемых сегодня на рынке. VS23S040 это ...
    VLSI Solution announces availability of VS23S040, a versatile SPI SRAM device with the largest capacity on the market. VLSI Solution's VS23S040 is an easy to use four megabit static RAM device. The memory can be accessed via a standard SPI ...
    09-01-2018
  2. Новый уровень стандартов запоминающих устройств для обработки постоянно растущих объемов мобильного контента Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли встраиваемой универсальной флеш-памяти (embedded Universal ...
    Setting a new threshold for mobile storage to handle ever-increasing amounts of multimedia content Samsung Electronics announced that it has begun mass production of the industry’s first 512-gigabyte (GB) embedded Universal Flash Storage ...
    09-01-2018
  3. Память LAPIS Semiconductor MR44V100A MR45V100A
    LAPIS Semiconductor сообщила о разработке сегнетоэлектрического запоминающего устройства с произвольным доступом (FeRAM) емкостью 1 Мбит, предназначенного для таких приложений, как интеллектуальные приборы учета, средства измерений, медицинское ...
    High-speed 40 MHz operation and wide voltage range from 1.8 to 3.6 V improve reliability in IoT equipment LAPIS Semiconductor has recently announced the development of 1 Mbit ferroelectric random access memory (FeRAM) designed for applications such ...
    14-12-2017
  4. Everspin Technologies начала отгрузку основным потребителям пробных партий новых микросхем магниторезистивной оперативной памяти с переносом спинового момента (ST-MRAM) емкостью 1 Гбит. Этот революционный продукт предназначен для создания ...
    Everspin Technologies has begun sampling its new 1-Gigabit Spin Torque Magnetoresistive Random Access Memory (ST-MRAM) with lead customers. This breakthrough product delivers a high-endurance, persistent memory with a DDR4- compatible interface. ...
    17-08-2017
  1. Специалисты холдинга Росэлектроника Госкорпорации Ростех разработали материалы для создания многослойных 3D-оптических носителей информации флуоресцентного типа, призванных заменить CD, DVD и BluRay. Носители информации, разработанные московским ...
    08-02-2017
  2. Диапазон рабочих температур расширен до +105 С Подразделение решений для хранения данных и электронных устройств корпорации Toshiba объявило о выпуске устройств встроенной флеш-памяти NAND, соответствующих стандарту JEDEC e•MMC™ версии ...
    30-01-2017
  3. Память Microchip 47L04 47C04 47L16 47C16
    Энергонезависимое ОЗУ на основе EERAM с интерфейсом I 2 C не требует внешней батареи для сохранения данных Недорогое и надежное решение для безопасного сохранения данных при потере питания теперь стало возможным благодаря компании Microchip ...
    The I 2 C EERAM Memory is a Low-Cost NVSRAM that Eliminates the Need for an External Battery to Retain Data A new low-cost, low-risk memory solution offering unlimited endurance and safe data storage at power loss is now available from Microchip ...
    27-10-2016
  4. Память Cypress S27KL0641 S27KS0641
    Представлено первое в отрасли устройство DRAM с авторегенерацией и 12-проводным интерфейсом HyperBus, предназначенное для расширенных сверхоперативных ЗУ высокопроизводительных приложений Cypress Semiconductor анонсировала образцы новой ...
    Provides the Industry’s First Self-refresh DRAM Device with the 12-Pin HyperBus™ Interface; Serves as Expanded Scratchpad Memory for High-Performance Applications Cypress Semiconductor announced sampling of a new high-speed, ...
    13-09-2016
  5. В новом поколении BiCS FLASH компании Toshiba стало больше слоев и увеличился объем памяти Корпорация Toshiba представила последнее поколение своей трехмерной (3D) флэш-памяти BiCS FLASH со стековой структурой ячеек, объявив о начале поставок ...
    New generation Toshiba BiCS FLASH adds layers, boosts capacity Toshiba Corporation unveiled the latest generation of its BiCS FLASH three-dimensional (3D) flash memory with a stacked cell structure, a 64-layer device that will be first in the world ...
    09-08-2016
  6. В ультра миниатюрном корпусе радиационно-стойкого устройства управления питанием реализован полный набор необходимых функций Texas Instruments представила первый в отрасли линейный стабилизатор для согласования интерфейсов памяти с удвоенной ...
    Radiation-hardened power-management device integrates comprehensive functionality in an ultra-small form factor Texas Instruments (TI) introduced the industry's first double-data-rate (DDR) memory linear regulator for space applications. The ...
    13-07-2016