Новости: Память
Найдено: 126 Вывод: 21-30 Энергонезависимое ОЗУ на основе EERAM с интерфейсом I 2 C не требует внешней батареи для сохранения данных Недорогое и надежное решение для безопасного сохранения данных при потере питания теперь стало возможным благодаря компании Microchip ... The I 2 C EERAM Memory is a Low-Cost NVSRAM that Eliminates the Need for an External Battery to Retain Data A new low-cost, low-risk memory solution offering unlimited endurance and safe data storage at power loss is now available from Microchip ...
27-10-2016 Представлено первое в отрасли устройство DRAM с авторегенерацией и 12-проводным интерфейсом HyperBus, предназначенное для расширенных сверхоперативных ЗУ высокопроизводительных приложений Cypress Semiconductor анонсировала образцы новой ... Provides the Industry’s First Self-refresh DRAM Device with the 12-Pin HyperBus™ Interface; Serves as Expanded Scratchpad Memory for High-Performance Applications Cypress Semiconductor announced sampling of a new high-speed, ...
13-09-2016 В новом поколении BiCS FLASH компании Toshiba стало больше слоев и увеличился объем памяти Корпорация Toshiba представила последнее поколение своей трехмерной (3D) флэш-памяти BiCS FLASH со стековой структурой ячеек, объявив о начале поставок ... New generation Toshiba BiCS FLASH adds layers, boosts capacity Toshiba Corporation unveiled the latest generation of its BiCS FLASH three-dimensional (3D) flash memory with a stacked cell structure, a 64-layer device that will be first in the world ...
09-08-2016 В ультра миниатюрном корпусе радиационно-стойкого устройства управления питанием реализован полный набор необходимых функций Texas Instruments представила первый в отрасли линейный стабилизатор для согласования интерфейсов памяти с удвоенной ... Radiation-hardened power-management device integrates comprehensive functionality in an ultra-small form factor Texas Instruments (TI) introduced the industry's first double-data-rate (DDR) memory linear regulator for space applications. The ...
13-07-2016 Преодолев технические сложности масштабирования DRAM, Samsung первой в мире открывает дверь в мир DRAM класса 10 нм Samsung Electronics объявила о начале крупносерийного производства первых изделий с проектными нормами 10 нм 8-гигабитных микросхем ... Opening the door to “10 nm-class DRAM” for the first time in the industry after overcoming technical challenges in DRAM scaling Samsung Electronics announced that it has begun mass producing the industry’s first 10-nanometer (nm) ...
22-06-2016 Группа ученых из лаборатории топологических квантовых явлений в сверхпроводящих системах МФТИ и МГУ предложила принципиально новый тип ячеек памяти на основе сверхпроводников такая память может работать в сотни раз быстрее, чем распространенные ... 24-03-2016 Семейство микросхем NOR Flash-памяти с интерфейсом SQI предназначенное для применения в автомобильной электронике, обладает усовершенствованным функционалом и низким энергопотреблением Компания Microchip анонсировала семейство микросхем NOR ... SST26VF SQI Family of Flash Products Now Available With Improved Functionality and Low Power Consumption Microchip Technology Inc. announced the introduction of automotive-grade NOR Flash products with wider voltage and a larger temperature range. ...
10-02-2016 Новое решение Samsung в области DRAM указывает на то, что TSV становится господствующей технологией в приложениях памяти большой емкости Компания Samsung анонсировала начало массового производства первых в отрасли 128-гигабайтных модулей памяти ... New Samsung DRAM Solution Signals TSV Technology is heading for Mainstream High-Capacity Memory Applications Samsung Electronics announced that it is mass producing the industry’s first “through silicon via” (TSV) double data ...
10-12-2015 Новое устройство емкостью 256 Мбит в корпусе с небольшим количеством выводов и полосой пропускания в режиме чтения до 333 МБ/c предназначена для широкого диапазона высокопроизводительных систем Компания Cypress Semiconductor расширила линейку ... New 256 Mb Device Delivers Up to 333 MBps of Read Bandwidth in a Low-Pin-Count Package; Addresses a Broad Range of the Highest-Performance Systems Cypress Semiconductor Corp. expanded its NOR HyperFlash product line with the qualification of a new ...
13-08-2015 Инновационная трехмерная многоуровневая структура увеличивает объем и повышает технические характеристики микросхем флэш-памяти Toshiba America представила новое поколение флэш-памяти BiCS FLASH с трехмерной многоуровневой структурой запоминающих ... Innovative 3D stacked structure boosts capacity and performance Toshiba America Electronic Components , Inc. unveiled the new generation of BiCS FLASH, a three-dimensional (3D) stacked cell structure flash memory. The new device is the world's ...
12-08-2015
|
|
