Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Новости: Память

Найдено: 128   Вывод: 31-40
  1. Новое устройство емкостью 256 Мбит в корпусе с небольшим количеством выводов и полосой пропускания в режиме чтения до 333 МБ/c предназначена для широкого диапазона высокопроизводительных систем Компания Cypress Semiconductor расширила линейку ...
    New 256 Mb Device Delivers Up to 333 MBps of Read Bandwidth in a Low-Pin-Count Package; Addresses a Broad Range of the Highest-Performance Systems Cypress Semiconductor Corp. expanded its NOR HyperFlash product line with the qualification of a new ...
    Память » Cypress » S26KL256S
    13-08-2015
  2. Инновационная трехмерная многоуровневая структура увеличивает объем и повышает технические характеристики микросхем флэш-памяти Toshiba America представила новое поколение флэш-памяти BiCS FLASH с трехмерной многоуровневой структурой запоминающих ...
    Innovative 3D stacked structure boosts capacity and performance Toshiba America Electronic Components , Inc. unveiled the new generation of BiCS FLASH, a three-dimensional (3D) stacked cell structure flash memory. The new device is the world's ...
    12-08-2015
  3. Новому семейству однопроводных устройств памяти с оригинальной схемой паразитного питания и уникальным 64-битным серийным номером требуются лишь один вывод данных и один вывод земли Atmel начала производство инновационной микросхемы однопроводного ...
    With a Novel Parasitic Power Scheme, New Single-Wire Family Requires Just One Data and One Ground Pin Eliminating the Need for Power Source/ Vcc and Features Plug-and-Play 64-bit Serial Number for Identification Atmel Corporation launched the ...
    Память » Atmel » AT21CS01, AT21CS11
    12-08-2015
  4. Новая трехуровневая ячейка NAND памяти (TLC) большой емкости обеспечивает высокий уровень технических характеристик: Концентрированный баланс цены, емкости и технических характеристик При той же емкости, что и MLC NAND площадь, кристалла снижена на ...
    New High-Capacity Triple-Level-Cell (TLC) NAND Provides Efficient, High-Performance Storage: Offers a focused balance in cost, capacity and performance. Enables the same capacity as MLC NAND with a 28% savings in die area. Targeted for use in ...
    02-06-2015
  5. Новые приборы F-RAM расширяют диапазон емкостей самых экономичных микросхем энергонезависимой памяти, предназначенных для особо ответственных приложений Cypress Semiconductor представила семейство микросхем сегнетоэлектрической памяти с ...
    New F-RAM™ Expands the Density Range of the Most Energy-Efficient Nonvolatile RAMs for Mission-Critical Data Storage Cypress Semiconductor introduced a family of 4 Mb serial Ferroelectric Random Access Memories (F-RAMs™), which are the ...
    06-05-2015
  6. Резистивная память CBRAM может радикально снизить потребление энергии, став новым стандартам эры Интернета вещей Компания Adesto Technologies, ведущий разработчик и лидер рынка самых малопотребляющих решений в области энергонезависимой памяти с ...
    CBRAM resistive memory enables radically low energy consumption, setting standard for a new generation of memory for the Era of Things Adesto Technologies, the inventor and market leader of the world’s lowest power memory solutions, announced ...
    15-01-2015
  7. Fujitsu Semiconductor developed of a new FRAM product, the MB85RC1MT , with 1 Mbit of memory, the highest memory density of our products with an I 2 C serial interface. The new product is guaranteed for up to 10 trillion read/write cycles, and is ...
    Память » Fujitsu » MB85RC1MT
    11-03-2014
  8. Fujitsu Semiconductor объявила о завершении разработки 4-мегабитных приборов FRAM-памяти MB85R4M2T с параллельным интерфейсом, совместимым с микросхемами SRAM. Образцы новой продукции в 44-выводных корпусах TSOP будут доступны в первом квартале ...
    Fujitsu Semiconductor Limited announced the development of the MB85R4M2T , a 4 Mbit FRAM chip with an SRAM-compatible parallel interface. The new product will be made available in sample quantities starting January 2014. It uses a 44-pin TSOP ...
    19-11-2013
  9. Jason Socrates Bardi, Американский институт физики Wireless Design Development Новый материал, состоящий из алюминия и сурьмы, может быть использован в запоминающих устройствах следующего поколения Новый экологически чистый сплав, в котором 50 ...
    A new material built from aluminum and antimony shows promise for next-generation data-storage devices A new, environmentally-friendly electronic alloy consisting of 50 aluminum atoms bound to 50 atoms of antimony may be promising for building ...
    21-09-2013
  10. Компания InnoDisk представила первый в мире сверхминиатюрный промышленный твердотельный накопитель серии nanoSSD с интерфейсом SATA III в корпусе BGA, соответствующий стандарту JEDEC MO-276 (SATA uSSD). Накопители nanoSSD имеют высокую степень ...
    01-07-2013
 Страницы:

Тестируем литиевые батарейки Fanso при температуре -40С
Molex: соединения, связь, инновации
Срезы ↓
Закажи печатные платы, комплектующие получи бесплатно

Рейтинг@Mail.ru