Публикации: транзисторов - 2

11. PE-63387NL — Datasheet Pulse Electronics
    Datasheets
    

    .. управления затворами МОП-транзисторов
    26 августа 2025

Купить транзисторов на РадиоЛоцман.Цены — от 0.49 до 45 000 ₽ 1003 предложений от 7 поставщиков Характеристики транзистора КТ3107Е :Структура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 25 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение …
СЭлКом Россия и страны СНГ	BC847C SOT-23 транзистор биполярный TRR (арт. 271186)	от 0.49 ₽	Купить
Софт-Логистик Россия	IRG4RC10SPBF, Транзистор IGBT 600В 14А 1кГц, [D-PAK] Infineon	66 ₽	Купить

12. PE-63387 — Datasheet Pulse Electronics
    Datasheets
    .. управления затворами МОП-транзисторов
    26 августа 2025

13. Зажгите светодиод, не тратя энергию впустую
    Raju Baddi
    Схемы Питание Texas Instruments CD4011B · Светотехника Texas Instruments
    .. светодиод, имеет максимальное и минимальное значения, которые определяются временами включенного и выключенного состояний транзисторов Q 1 и Q 2 , а также другими параметрами, такими как индуктивность L 1 . С белым светодиодом, ...

    Light an LED without wasting energy

    Raju Baddi

    LEDs need current to illuminate, and current usually flows through a power supply to an LED. A typical LED-driver circuit uses a transistor to provide current and a series resistor to decrease the voltage you apply to the LED. Unfortunately, the ...

    20 августа 2025
14. Смоделированный 100-мегагерцовый ПНЧ
    Jim McLucas
    Схемы Измерения Texas Instruments TLA431, SN74LVC1G14
    .. мере необходимости, чтобы добиться максимальной точности схемы. Возможные ограничения Возможно, из-за токов утечки диодов и транзисторов эта схема не обеспечивает высокой точности работы на частотах ниже 100 кГц, но я ожидаю, что на ...

    A simulated 100-MHz VFC

    Jim McLucas

    Stephen Woodward, a prolific circuit designer with way more than 100 published Design Ideas (DIs), had his “80 MHz VFC with prescaler and preaccumulator” [ 1 ] published on October 17, 2024, as a DI on the EDN website. Upon reading his ...

    19 августа 2025
15. Компенсационные стабилизаторы напряжения на переключающихся диодах запуска
    Владислав Соломеин
    Схемы Питание
    .. VT2 мощного составного транзистора (КТ853, КТ8159 и т. п.). Можно также составить данный транзистор из двух обычных мощных транзисторов по схеме Дарлингтона. Максимальный ток нагрузки СН (I Н_МАКС ) определяется формулой где Величина ...
    17 августа 2025
16. Обсуждение: Нажал - включил, нажал - выключил для 48-вольтовых систем
    Форум Питание
    .. триггер К176/561ТМ2 или любой из 1G74. Подавление дребезга делают не так, три детали нужно подключить по-другому. Выбор транзисторов – ну Q2 просто не подходит по напряжению, Q1 – также не подходит по напряжению, малый запас мягко ...
    4 августа 2025
17. Управление двигателем H - мостом
    Форум САПР и ПО
    .. управления скоростью и реверсом коллекторного движка с помощью двух ползунковых потенциометров и нескольких биполярных транзисторов. с управлением по Н - мосту
    1 августа 2025
18. Новая линейка GaN продуктов компании Ampleon упрощает замену магнетронов в ISM системах диапазона 2.4 ГГц
    Новости Радиочастотные компоненты Силовая электроника Ampleon CLF24H4LS300P CLP24H4S30P
    .. и CLP24H4S30P (драйвер) компании Ampleon, основанные на передовой технологии GaN-on-SiC (нитрид галлия на карбиде кремния) транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Двухкаскадная архитектура, полностью охватывающая ...

    New Ampleon 2.4 GHz GaN line-up simplifies magnetron replacement in ISM systems

    Ampleon announces the release of a new high-efficiency GaN-based 2.4 GHz RF power amplifier lineup, designed for industrial, scientific, medical (ISM) applications. Delivering up to 350 W continuous wave (CW) output, this solution provides OEMs and ...

    29 июля 2025
19. АО «НИИЭТ» запустит производство силовых транзисторов на нитриде галлия
    Новости Дискретные компоненты
    .. компаний Элемент инвестирует 4.4 млрд рублей в производство силовых транзисторов на нитриде галлия. Проект будет запущен на базе одного из ведущих предприятий группы НИИ ...
    24 июля 2025
20. GaN-транзисторы АО «НИИЭТ» успешно прошли испытания
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника
    .. исключить дорогостоящий этап выполнения научно-исследовательских работ по анализу возможности и перспектив применения транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) и сразу приступить к реализации опытно-конструкторских работ по ...
    15 июля 2025

Сортировать по: релевантность / дата