Публикации: arc 250 igbt - 2

11. Концентратор датчиков BHA250 с поддержкой функций Android Lollipop
    Статьи Датчики МЭМС Bosch BHA250
    .. обработку данных в BHA250 отвечает фирменный процессор Fuser. Его отличительными чертами являются (Рис. 4): 32-битное ядро ARC EM4; производительность 1.6 DMIPS/ МГц, 3.41 Core Marks /МГц; рабочая частота до 10 МГц; встроенный блок для ...
    30 марта 2017

12. Нужна схема сварочного инвертора Kaiser NBC-250L/
    Форум Инструменты и технологии
    .. цифирьками.Это есть истина?В реж х.х. или нагрузки,или это кто то написал неисправные данные? Не умею перенести ссылку на ARC 205 сюда,но думаю вы её все видели.Не открываю новую тему,тема эта же :нет х.х.
    15 июня 2017

13. AUIRGP4062D — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets International Rectifier AUIRGP4062D
    

    .. Количество выводов: 3 Корпус транзистора: TO-247AC Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +175°C Рассеиваемая мощность: 250 Вт Тип транзистора: IGBT RoHS: да SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
    .. модели: AUIRGP4062D Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, 600 В, 48 А, TO-247AC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: AUTOMOTIVE GRADE INSULATED GATE BIPOLAR ...
    1 марта 2012
14. NGTB25N120IHLWG — Datasheet ON Semiconductor -
    Datasheets ON Semiconductor NGTB25N120IHLWG
    

    .. 25 А Количество выводов: 3 Корпус транзистора: TO-247 Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Рассеиваемая мощность: 250 Вт Тип транзистора: IGBT RoHS: да SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
    .. модели: NGTB25N120IHLWG Производитель: ON Semiconductor Описание: IGBT, 1200 В, 25 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NGTB25N120IHLWG IGBT This Insulated Gate ...
    3 июля 2012
15. Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics
    Статьи Питание Дискретные компоненты STMicroelectronics
    .. 0,052 STS5N15M3* 4,5 0,057 STx25N15M3* 25 0,057 STx110NS20FD 200 110 0,024 STx75NF20 75 0,034 STD5N20LT4 5 0,7 STW52NK25Z 250 52 0,045 STB50N25M3 40 0,065 STx50NF25 45 0,069 STW54NK30Z 300 54 0,06 STP30NM30N 30 0,09 STP12NK30Z 9 0,4 ...
    .. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, ...
    2 марта 2009
16. Infineon выпустила высоконадежные IGBT модули PrimePACK 3 и EconoDUAL 3 с повышенной плотностью мощности
    Новости Силовая электроника Infineon FF1400R17IP4 FF600R12ME4
    .. требованиям рынка в отношении большой мощности, компактных размеров и высокой надежности. Размеры PrimePACK 3: 89×250 мм. Новый модуль, как и все семейство, отличают оптимизированная топология кристалла и продуманный дизайн модуля. ...
    .. Infineon Technologies выпустила высоконадежные IGBT модули с повышенной плотностью мощности: модуль PrimePACK™ с номинальным током коллектора 1400 A и ...
    21 июля 2010
17. SGL50N60RUFDTU — Datasheet Fairchild -
    Datasheets Fairchild SGL50N60RUFDTU
    

    .. Voltage Vces: 600 В DC Collector Current: 80 А Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Рассеиваемая мощность: 250 Вт Тип транзистора: IGBT RoHS: да
    .. модели: SGL50N60RUFDTU Производитель: Fairchild Описание: Одиночный IGBT, 600 В, 80 А Спецификации: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Collector Emitter Voltage Vces: 600 В DC ...
    3 октября 2010
18. SGP30N60HS — Datasheet Infineon -
    Datasheets Infineon SGP30N60HS
    

    .. Sheet Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 41 А Max Voltage Vce Sat: 3.15 В Max Power Dissipation: 250 Вт Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Корпус транзистора: ...
    .. модели: SGP30N60HS Производитель: Infineon Описание: IGBT, TO-220 Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 41 А Max Voltage Vce Sat: ...
    25 сентября 2010
19. SGP30N60 — Datasheet Infineon -
    Datasheets Infineon SGP30N60
    

    .. Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 41 А Max Voltage Vce Sat: 2.1 В Max Power Dissipation: 250 Вт Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Корпус транзистора: ...
    .. модели: SGP30N60 Производитель: Infineon Описание: IGBT, TO-220AB Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 41 А Max Voltage Vce Sat: ...
    25 сентября 2010
20. IRG4PC20UPBF — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets International Rectifier IRG4PC20UPBF
    

    .. International Rectifier Описание: IGBT, TO-247 Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: IGBT Max Voltage Vce Sat: 250 В Max Power Dissipation: 60 Вт Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В Корпус транзистора: TO-247 Количество ...
    28 сентября 2010

Сортировать по: релевантность / дата