Публикации: 650 - 5

41. Vishay Intertechnology's New 650 V Fast Body Diode MOSFETs Increase Voltage Headroom for Soft Switching in Industrial, Telecom, and Renewable Energy Applications
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника Vishay SiHA21N65EF SiHB21N65EF SiHG21N65EF SiHH21N65EF SiHP21N65EF SiHG28N65EF SiHP28N65EF
    .. Intertechnology expanded its portfolio of fast body diode n-channel power MOSFETs with the introduction of new 650 V EF Series devices. Augmenting the company’s 600 V offering, the Vishay Siliconix SiHx21N65EF , SiHx28N65EF ...
    15 мая 2016

42. New Vishay Intertechnology 600 V and 650 V E Series MOSFETs in PowerPAK SO-8L Increase Reliability and Reduce Package Inductance
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника Vishay SiHJ8N60E SiHJ6N65E SiHJ7N65E
    .. Intertechnology announced that it has extended its offering of 600 V and 650 V E Series power MOSFETs with three new n-channel devices in the compact PowerPAK® SO-8L package. Providing ...
    11 июля 2016

43. Преобразование напряжения в частоту упрощает измерения малых напряжений
    Схемы Аналоговая схемотехника Измерения Analog Devices AD650
    Журнал РАДИОЛОЦМАН, ноябрь 2017 Praveen K Electronic Design В некоторых приложениях, таких как измерение pH, основанное на изменениях электромагнитного поля в электрохимической реакции, вариации напряжения очень малы, а диапазон напряжений зависит ...

    Voltage-To-Frequency Conversion Simplifies Microvolt Measurements

    Praveen K Electronic Design In certain applications, like pH measurement based on electromagnetic field (EMF) changes in an electrochemical reaction, the change in voltage is very small and the voltage range varies with the solution's ...

    29 января 2018
44. Нитрид-галлиевые силовые ключи и платформа All-Switch от VisIC Technologies (Application note AN01V650)
    Статьи Силовая электроника VisIC Technologies V22N65A V150N65B
    .. подвижностью носителей. Особенностями такой структуры являются: Формируемый GaN-транзистор имеет рейтинг напряжения 650 В. GaN-транзистор является нормально открытым ключом. При напряжении затвор-исток 0 В канал полностью открыт и ...
    17 октября 2018
45. Littelfuse представила новые 650-вольтовые SiC диоды Шоттки для схем автоэлектроники
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника Littelfuse LSIC2SD065CxxA LSIC2SD065AxxA
    .. высокая перегрузочная способность и максимальная рабочая температура перехода 175 C Littelfuse представила две новых серии 650-вольтовых карбидокремниевых (SiC) диодов Шоттки, сертифицированных на соответствие стандарту AEC-Q101. В ...

    GEN2 650V SiC Schottky Diodes Offer Improved Efficiency, Reliability and Thermal Management

    .. high surge capability, and 175 C max. operating junction temperature Littelfuse introduced two second-generation series of 650 V, AEC-Q101-qualified silicon carbide (SiC) Schottky Diodes. The LSIC2SD065CxxA and LSIC2SD065AxxA Series SiC ...

    14 февраля 2019
46. Плазменный телевизор LG 42PJ650R
    Потребительская электроника LG 42PJ650R
    

    Наименование модели: 42PJ650R Производитель: LG Описание: Плазменные телевизоры серии PJ, благодаря тонкому корпусу, можно разместить практически где угодно. Поддержка стереозвука NICAM. Поддержка DVB-T. Поддержка DVB-C. Телетекст. Память ...
    19 февраля 2011
47. Nexperia запускает в производство свой первый GaN МОП-транзистор с лучшими в отрасли характеристиками
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника Nexperia GAN063-650WSA
    .. производстве Nexperia объявила о выходе на рынок нитрид-галлиевых (GaN) полевых транзисторов со своим первым высоконадежным 650-вольтовым устройством GAN063-650WSA с напряжением затвор-исток 20 В и диапазоном рабочих температур от 55 C до +175 ...

    Nexperia launches high-efficiency GaN FET with industry-leading performance

    .. for volume applications Nexperia announced its entry into the gallium nitride (GaN) FET market with the introduction of the 650 volt GAN063-650WSA , a very robust device with a gate-source voltage (V GS ) of 20 V and a temperature range of 55 ...

    4 декабря 2019
48. Infineon дополняет семейство EiceDRIVER 650-вольтовыми драйверами затворов полумостов
    Новости Драйверы Infineon 2ED210x 2ED218x
    .. Technologies расширяет свой ассортимент микросхем EiceDRIVER 650-вольтовыми драйверами затворов полумостов, основанными на уникальной технологии КНИ (кремний на изоляторе). ...

    650 V half-bridge SOI driver families with integrated bootstrap diodes offers superior robustness

    .. Technologies broadens its EiceDRIVER™ portfolio with the 650 V half-bridge gate drivers based on Infineon’s unique silicon on insulator (SOI) technology. The products ...

    13 января 2020
49. ON Semiconductor анонсирует новые 650-вольтовые SiC MOSFET
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника ON Semiconductor NVBG015N065SC1 NTBG015N065SC1 NVH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1
    .. питания телекоммуникационного оборудования и источники бесперебойного питания. Разработанные ON Semiconductor новые 650-вольтовые SiC MOSFET, выпускаемые в версиях для автомобильной (сертификация по стандарту AEC-Q101) и промышленной ...

    ON Semiconductor Announce New 650V Silicon Carbide MOSFETs

    .. and uninterruptible power supplies (UPS). ON Semiconductor’s new automotive AECQ101 and industrial grade qualified 650 volt (V) SiC MOSFETs are based upon a new wide bandgap material that provides superior switching performance and ...

    22 февраля 2021
50. Toshiba анонсировала пять 650-вольтовых MOSFET с суперпереходом в новых корпусах TOLL
    Новости Силовая электроника Toshiba TK065U65Z TK090U65Z TK110U65Z TK155U65Z TK190U65Z
    .. размеры оборудования, а подключение истока по схеме Кельвина повышает КПД Toshiba Electronics Europe анонсировала пять 650-вольтовых MOSFET с суперпереходом в новых безвыводных корпусах для поверхностного монтажа типа TOLL. Транзисторы ...

    Toshiba's announces five 650V superjunction power MOSFETs housed in the new TOLL package

    .. loss and turn-off switching loss is reduced by about 56%. Deploying the latest generation of the DTMOS VI series of 650 V superjunction power MOSFETs with the TOLL package will help engineers reduce the size of their end equipment and ...

    15 марта 2021

Сортировать по: релевантность / дата