Публикации: транзисторов - 7

61. 650-вольтовая серия транзисторов TRENCHSTOP 5 переопределяет понятие «лучший в своем классе» IGBT
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника Infineon
    В ближайшем будущем разработчики будут вынуждены уделять все больше внимания достижению наилучшего соотношения цена/производительность. Разработанная Infineon технология TRENCHSTOP 5 призвана сыграть в этом вопросе ключевую роль. Она позволяет ...

    650V TRENCHSTOP5 - Redefining the „Best in Class" IGBT

    In the future, designers will have to focus more on the cost/performance ratio of their designs. Infineon 's TRENCHSTOP™5 has a crucial role to play here. It can cut the system cost of an overall platform by improving efficiency and ...

    5 декабря 2012

Купить транзисторов на РадиоЛоцман.Цены — от 0.49 до 45 000 ₽ 1003 предложений от 7 поставщиков Характеристики транзистора КТ3107Е :Структура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 25 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение …
СЭлКом Россия и страны СНГ	BC847C SOT-23 транзистор биполярный TRR (арт. 271186)	от 0.49 ₽	Купить
Элитан Россия	BC847C SOT-23 транзистор биполярный TRR (арт. 271186)	0.82 ₽	Купить

62. Параллельное включение IGBT транзисторов
    Статьи Питание Силовая электроника
    .. нюансов, которые необходимо учитывать при параллельном включении двух и более IGBT. Один из них соединение затворов транзисторов. Затворы параллельных IGBT могут подключаться к драйверу через общий резистор, отдельные ...

    Driving paralleled IGBTs

    Alan Ball, ON Semiconductor PowerPulse As the demand for high power electronic equipment grows, it becomes necessary to drive high-voltage, high-current loads. Achieving high levels of both voltage and current in a switching power converter often ...

    22 декабря 2013

63. Infineon расширила семейство PROFET+ одноканальных низкоомных 12-В транзисторов
    Новости Дискретные компоненты Авто Силовая электроника Infineon BTS5008-1EKB BTS5010-1EKB BTS5012-1EKB BTS5016-1EKB
    Компания Infineon расширила свое пользующееся успехом семейство PROFET+, включив в него новую продукцию с более низким омическим сопротивлением. BTS5008-1EKB , BTS5010-1EKB , BTS5012-1EKB и BTS5016-1EKB обеспечивают все хорошо известные ...

    New Single-Channel Low Ohmic 12V Products Launched in the PROFET+ Family

    Infineon is expanding its successful PROFET™+ family to include new lower ohmic class products. BTS5008-1EKB , BTS5010-1EKB , BTS5012-1EKB and BTS5016-1EKB provide all the well-known properties of the PROFET™ + family including ...

    7 марта 2013
64. Простое устройство для измерения параметров полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
    John Fattaruso
    Схемы Измерения
    .. I DSS = βV P 2 , где I DSS начальный ток стока. Рисунок 1. Зависимость I D от V GS для n-канальных полевых транзисторов имеет значительный разброс. Изображенный на Рисунке 1 график этой зависимости для трех ...

    Simple circuit lets you characterize JFETs

    John Fattaruso

    Measure the pinch-off voltage V P and zero-bias drain current I DSS to select matched pairs of JFETs When working with discrete JFETs, designers may need to accommodate a large variation in device parameters for a given transistor type. A ...

    10 марта 2013
65. Цветомузыкальная установка с применением транзисторов КТ605Б
    Форум Светотехника
    Здравствуйте! Нашёл схему и хочу её повторить. Но возникли вопросы. 1-й вопрос. Какое напряжение на выходе Тр.2 2-й вопрос. Какой номинал сопротивления R8. Кто может помочь в этом разобраться. 1. напряжение 6-7в 2. около 150 Ом 3. тиристоры на ...
    10 мая 2013
66. Подберите комплементарную пару биполярных транзисторов
    Peter Demchenko
    Схемы Измерения
    .. 2013 При создании некоторых схем, в которых используются комлементарные биполярные транзисторы, требуется подбор NPN и PNP транзисторов с близкими по величине коэффициентами передачи тока β. Примером такой схемы может служить ...
    5 сентября 2013
67. Обсуждение: Подберите комплементарную пару биполярных транзисторов
    Форум Измерения
    .. Подберите комплементарную пару биполярных транзисторов Интересное сообщение.Вторым вариантом .многократно пользовался для оперативного подбора пары ...
    9 сентября 2013
68. Испытатель маломощных транзисторов и стабилитронов Л2-54
    Измерения
    Техническое описание и инструкция по эксплуатации. Принципиальные схемы.
    5 мая 2013
69. Infineon разработала серию ВЧ SiGe:C транзисторов BFx840xESD
    Новости Электронные компоненты Беспроводные Беспроводные Infineon BFP840ESD BFP840FESD BFR840L3RHESD
    .. между фиксированными или общественными точками доступа. Разработанное Infineon cемейство BFx840xESD это серия биполярных транзисторов с гетеропереходом (Hetero-junction Bipolar Transistor HBT), предназначенных для ...

    BFx840xESD RF Transistor Series

    Wireless fidelity, or Wi-Fi, plays a major role in communications today. It enables devices to continuously connect to the 2.4 GHz and 5 GHz bands, for example, and also enables users with laptops and devices equipped with wireless network ...

    15 октября 2013
70. Замена транзисторов 2Т9135, 2Т6551
    Форум
    Чем заменить 2т9135 и 2т6551 в зарядке акб или импортные аналоги? И представить себе не мог, что ВЧ транзисторы используют в ЗУ По 2Т9135 см здесь http://dsh.su/trans/index/biid/20317 . По 2Т6551 см здесь ...
    28 марта 2011

Сортировать по: релевантность / дата