Публикации: 1N5404 R0 - 8

71. Новые MOSFET Nexperia соответствуют требованиям стандарта UL2595
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника Nexperia PSMN0R9-30ULD PSMN0R9-40ULD
    Единственные в отрасли устройства, совместимые с посадочным местом корпуса Power-SO8 и отвечающие новым стандартам для оборудования с батарейным питанием Nexperia объявила о пополнении линейки MOSFET, выпускаемых в корпусах LFPAK56, двумя новыми ...

    New LFPAK56 MOSFETs from Nexperia feature improved creepage and clearance, meeting UL2595

    Industry’s only available devices compatible with Power-SO8 footprint to meet new standard for battery-powered equipment. Nexperia announced that two of its LFPAK56-packaged portfolio of MOSFETs are now available with improved creepage and ...

    8 июня 2018

Купить 1N5404 R0 на РадиоЛоцман.Цены — от 0.50 до 36 ₽ 957 предложений от 39 поставщиков Выпрямительные диоды.Тип монтажа: СквознойСхема включения диодов: ОдиночныйМаксимальное обратное напряжение (Vrrm), В: 400Максимальный прямой ток, А: 3Прямое падение …
ЗУМ-СМД Россия	1N5404	0.50 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	1N5404-T Diodes	от 9.20 ₽	Купить

72. NXP выпускает новые MOSFET транзисторы в компактном сверхпрочном корпусе
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника NXP PSMN2R8-25MLC PSMN2R9-30MLC PSMN3R0-30MLC PSMN3R9-25MLC PSMN4R4-30MLC PSMN7R0-30MLC PSMN9R0-25MLC PSMN9R8-30MLC PSMN013-30MLC
    NXP Semiconductors представила семейство быстродействующих MOSFET транзисторов в новом сверхнадежном корпусе LFPAK33 с размерами 3.3 × 3.3 мм. В отличие от многих других корпусов для MOSFET подобного размера, конструкция корпуса LFPAK33 была ...

    NXP Releases Smallest, Toughest Power MOSFETs

    NXP Semiconductors released its new LFPAK33 portfolio a range of high switching performance MOSFETs available in an ultra-reliable 3.3-mm × 3.3-mm power package. Unlike many MOSFET packages of this size, LFPAK33 has been designed from the ...

    19 июня 2012

73. PSMN2R0-30YLE — Datasheet NXP -
    Datasheets NXP PSMN2R0-30YLE
    

    Наименование модели: PSMN2R0-30YLE Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN2R0-30YLE 12 October 2012 N-channel 30 V 2 m logic level MOSFET in LFPAK Product data ...
    3 января 2013
74. PSMN5R0-80PS,127 — Datasheet NXP -
    Datasheets NXP PSMN5R0-80PS,127
    Наименование модели: PSMN5R0-80PS,127 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 В, 100 А, 3-TO-220AB Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 80 В Количество ...
    4 апреля 2011
75. Bourns начала производство многослойных силовых чип индуктивностей серии CVH252009
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника Bourns CVH252009
    Продуктовая линейка индуктивных компонентов компании Bourns пополнилась новой серией силовых индуктивностей CVH252009 , созданной по усовершенствованной многослойной технологии, позволившей изготавливать малогабаритные приборы с большим допустимым ...

    Bourns Releases Multilayer Power Chip Inductor Model CVH252009 Series

    Bourns Inductive Components Product Line introduces the new CVH252009 Series Power Chip Inductor which utilizes advanced multilayer technology to achieve a small size while still providing sufficient current handling capability for power ...

    30 июля 2012
76. Зарядное устройство Катунь 501
    Форум Питание
    требуется помощь в ремонте зарядки катунь 501 схемы нет маркировка на трнзисторах не читается заменил диод на выходе uf5408 выгоревших деталей не обнаружил правда посриди платы маленкий транс повело посмотри здесь - может и найдёшь чего полезного ...
    1 февраля 2013
77. ИР11 -многоцелевой регистр (8*4) бит 561ИР11 = MC14580CP
    Datasheets
    Справочник по низкочастотным цифровым КМОП микросхемам Rij - адреса считывания Wi - адреса записи Di - входы информационные Qij - выходы информационные Ck W2 W1 W0 R2a R1a R0a R2b R1b R0b Di Канал A Канал B _/~ S1 S2 S3 S1 S2 S3 S1 S2 S3 1 1 1 _/~ ...
    23 июня 2010
78. Интегральное зарядное устройство для Li-Ion аккумуляторов с коммутатором, управляющим распределением мощности между параллельными потоками. Часть 2
    Статьи Питание Силовая электроника
    .. LDO, зеркально отображается посредством токоизмерительных транзисторов Ms_vdd и Ms_batt, соответственно. Резисторами R0 и R1 измерительные токи трансформируются в напряжения обратной связи усилителя ограничителя тока системного LDO и ...
    3 июля 2014
79. Спутниковый ресивер GS8306. После удара молнии
    Форум Спутниковое оборудование
    Здравствуйте! Помогите или поделитесь мыслями по следующей проблеме после грозы перестал показывать (нет сигнала) триколоровский ресивер gs8306. Вскрытие показало сгорел тюнер Serit SP2230. Есть ли аналоги или как то можно перепаять детальки. Жду ...
    15 июля 2014
80. Сгорают свичи, выход 14/18 имеет большое напряжение
    Форум Спутниковое оборудование
    Здравствуйте граждане . У меня проблема в том что на выходе ресивера,выход на конвертор 14/18 вольт завышено напряжение -15/20.началось все с того что начали перегорать свичи один за другим(в России их кажется называют Дисеками)-DISEqC 2.0.Сначало ...
    25 октября 2014

Сортировать по: релевантность / дата