Публикации: Транзистор

1. Новый IGBT-транзистор на 1000 В фирмы Fairchild Semiconductor, выполненный по технологии NPT-Trench, обеспечивает лучшую в своем классе устойчивость к лавинному пробою в системах индукционного нагрева
   Новости Дискретные компоненты Fairchild FGL60N100BNTD
   .. апреля, 2004г. - фирма Fairchild Semiconductor представляет новый IGBT-транзистор (1000 В / 60 А) , обладающий превосходными переключательными характеристиками и параметрами ...

   Fairchild Semiconductor's New 1000V NPT-Trench IGBT Offers Best-In-Class Avalanche Ruggedness for Induction Heating Applications

   April 29, 2004 - Fairchild Semiconductor introduces a new 1000V/60A IGBT that delivers superior switching and conduction characteristics as well as avalanche ruggedness in induction heating (IH) applications, including IH rice jars, induction ...

   11 мая 2004

Купить Транзистор на РадиоЛоцман.Цены — от 0.48 до 45 000 ₽ 1006 предложений от 8 поставщиков Характеристики транзистора КТ3107Е :Структура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 25 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение …
СЭлКом Россия и страны СНГ	BC847C SOT-23 транзистор биполярный TRR (арт. 271186)	от 0.48 ₽	Купить
Софт-Логистик Россия	IRG4RC10SPBF, Транзистор IGBT 600В 14А 1кГц, [D-PAK] Infineon	66 ₽	Купить

2. Первый промышленно выпускаемый 30 В, N-канальный транзистор, соединяющий в себе технологии SyncFET^TM и FLMP, обладает значительно большей эффективностью, низким сопротивлением сток-исток во включенном состоянии и позволяет экономить место при разработке преобразователей постоянного напряжения.
   Новости Электронные компоненты Fairchild
   .. сток-исток при открытом канале (порядка 4.5 мОм при напряжении затвор-исток - 10В). Таким образом, этот N-канальный MOSFET транзистор является идеальным выбором при конструировании первичных каскадов повышающих синхронных ...

   Industry's First 30V N-Channel MOSFET Combines SyncFET^TM and FLMP Technology to Dramatically Improve Performance, Lower R_DS(on), and Save Space in DC/DC Converters

   April 24, 2003 Fairchild Semiconductor International (NYSE: FCS) announces the FDS7066SN3 , the first in a new family of MOSFETs utilizing Fairchild's FLMP (Flip Leaded Molded Package) and SyncFET silicon technology to dramatically improve ...

   13 мая 2003

3. International Rectifier представляет комплект полупроводниковых приборов, в составе которого сборка DirectFETKY^TM - 'полевой МОП-транзистор/диод Шоттки' и полевой МОП-транзистор в исполнении DirectFET ^TM
   Новости Питание International Rectifier IRF6691 IRF6617
   .. кГц. Первое устройство - монолитная сборка IRF6691 DirectFETKY , которая объединяет диод Шоттки и синхронный полевой МОП-транзистор (MOSFET) в одном корпусе, что обеспечивает при полной нагрузке и фазной частоте 1 МГц увеличение ...

   International Rectifier Introduces the DirectFETKY^TM Integrated MOSFET/Schottky Diode and DirectFET^TM MOSFET Chip Set

   New DC-DC Conversion Chip Set for Advanced Processors Boosts Efficiency May 5, 2004 - International Rectifier, IR® introduced a control and synchronous switching chip set for high-frequency DC-DC converters powering next-generation Intel® ...

   9 мая 2004
4. International Rectifier предлагает потребителям новый, рассчитанный на 40 В полевой МОП-транзистор, оптимизированный для синхронного выпрямления в приборах телекоммуникационного назначения и системах передачи данных
   Новости Питание International Rectifier IRF7842
   .. Rectifier, IR® представила вниманию IRF7842 , рассчитанный на 40 В N-канальный силовой HEXFET® полевой МОП-транзистор , оптимизированный для работы в изолированных DC-DC преобразователях и предназначенный для применения ...

   International Rectifier Introduces New 40V Synchronous Rectification MOSFET Optimized for Telecom and Datacom Applications

   May 19, 2004 - International Rectifier, IR® introduced the IRF7842 , a 40V N-channel HEXFET® power MOSFET optimized for isolated DC-to-DC converters for telecommunications systems. The 40V rating enhances reliability when used in ...

   31 мая 2004
5. Фирма Fairchild Semiconductor предлагает вниманию первую в промышленном классе высокоскоростную транзисторную оптопару на 3.3В, гарантируя минимальный коэффициент подавления синфазной помехи 5кВ/мкс
   Новости Оптоэлектроника Fairchild FOD050L FOD053L FOD250L HCPL0453 HCPL0530 HCPL0531 HCPL0534 HCPL4503M
   27 мая, 2004г. - Фирма Fairchild Semiconductor объявляет о разработке новой высокоскоростной транзисторной опторазвязки на 3.3 В . Это изделие является единственным устройством из имеющихся на рынке, для которого гарантируется минимальное значение ...

   Fairchild Semiconductor Offers Industry's First High-Speed 3.3V Transistor Optocoupler with Guaranteed Minimum 5kV/µs CMR Rating

   .. 27, 2004 - Fairchild Semiconductor announces a new high-speed 3.3V transistor optocoupler . This is the only such device on the market offering a guaranteed minimum 5kV/µs ...

   1 июня 2004
6. Силовой МОП-транзистор в корпусе DirectFET^TM для высокоэффективных высококачественных аудиоусилителей класса D от International Rectifier (IR)
   Новости Дискретные компоненты Аудио International Rectifier IRF6665
   .. International Rectifier анонсировала силовой МОП-транзистор IRF6665 в корпусе DirectFET TM , специальнго созданный для высокоэффективных высококачественных ...

   International Rectifier (IR) Introduces Class D Audio DirectFET^TM MOSFET for High Efficiency, High Performance Amplifiers

   International Rectifier, IR introduced the IRF6665 DirectFET TM MOSFET for medium power Class D audio amplifiers . The device parameters are tuned specifically for improved audio performance such as efficiency, total harmonic distortion (THD) and ...

   21 января 2005
7. Самый маленький в мире транзистор от NEC
   Новости Электронные компоненты
   .. компания NEC заявила, что она разработала самый маленький в мире транзистор. По мнению представителей компании, это должно стать большим шагом вперед в развитии технологий. ...
   11 декабря 2003
8. Intel представляет сверхбыстрый транзистор с малым энергопотреблением на основе нового материала - InSb
   Новости Технологии электронных компонентов Intel
   .. и других логических схем. Инженеры компаний Intel и QinetiQ продемонстрировали работающий в режиме обогащения транзистор, в котором в качестве токопроводящего материала используется антимонид индия (химическое обозначение ...

   Intel Announces Chip Technology Breakthrough Using New Materials

   .. Run Cooler, Use Less Energy Intel Corporation announced development of a new, ultra-fast, yet very low power prototype transistor using new materials that could form the basis of its microprocessors and other logic products ...

   14 декабря 2005
9. Уникальный 160-амперный МОП-транзистор в корпусе D2Pak для энергоемкой автоэлектроники от International Rectifier (IR)
   Новости Дискретные компоненты International Rectifier IRF2804S-7P
   .. не имеющего аналогов 40-вольтового силового МОП транзистора IRF2804S-7P в модифицированном корпусе D2Pak. Новый транзистор нормирован на максимальное сопротивление канала 1,6мОм (типовое 1,2мОм) и ток 160А (ограничен ...

   International Rectifier (IR) Introduces Breakthrough 160A Q101-Qualified MOSFET in D2Pak for Heavy-Duty Automotive Applications

   September 8, 2004 - International Rectifier (IR) announced the Q101-qualified IRF2804S-7P , a 40V, 1.6mOhm HEXFET® power MOSFET rated at 160A in a D2Pak outline. This specification makes the IRF2804S-7P ideal for heavy-duty, high-current ...

   22 декабря 2004
10. Компания Freescale представила новую структуру МОП-транзистора c вертикальными и планарными областями
    Новости Технологии электронных компонентов Freescale
    .. названного ITFET (Inverted T Channel-Field Effect Transistor). Впервые в полупроводниковой индустрии был изготовлен транзистор, в котором сочетаются традиционная планарная и вертикальная структура. Подобная технология позволяет ...

    Freescale Introduces Novel Transistor Architecture For CMOS - Inverted T Channel-Field Effect Transistor (ITFET)

    .. transistor to include planar and vertical thin body structures unveiled at IEDM 2005 Freescale Semiconductor has ...

    18 января 2006

Сортировать по: релевантность / дата