Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Базовая усовершенствованная схема для измерения I_DSS и V_PJFET

Авторы	Cor van Rij
Основной документ	Статья «Простая схема, позволяющая более точно определить характеристики JFET»
Описание	Рисунок 2
Формат / Размер файла	PDF / 14 Кб
Язык документа	русский

ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Другие материалы из основного документа

Статья «Простая схема, позволяющая более точно определить характеристики JFET»

Рисунок 1. Стандартная зависимость тока сток-исток n-канального JFET от напряжения затвор-исток
Рисунок 2. Базовая усовершенствованная схема для измерения I_DSS и V_PJFET
Рисунок 3. Первая реализация практической схемы, используемой для измерения I_DSS и V_P
Рисунок 4. Схема с диапазоном измерений, подходящим для большинства JFET
Рисунок 5. Схема индикации результатов измерений с определением полярности

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Литий-тионилхлоридные батарейки – большая энергия в миниатюрном корпусе

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring