Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Усовершенствованная схема управления усилением на основе полевого транзистора

Texas Instruments TLC071

Журнал РАДИОЛОЦМАН, апрель 2016

Одной из проблем, характерных для стандартных схем управления усилением на основе полевого транзистора, является увеличение уровня шумов, когда транзистор используется как часть резистивного аттенюатора, включенного последовательно с операционным усилителем (ОУ). В такой конфигурации ослабление сигнала происходит до его усиления, а это влечет за собой необходимость выбора ОУ с большей полосой усиления и лучшими шумовыми характеристиками. Когда вы включаете полевой транзистор в качестве резистора, задающего усиление в схеме неинвертирующего усилителя, искажения ограничивают область применения схемы приложениями с входными напряжениями, не превышающими нескольких сотен милливольт. Это ограничение обусловлено свойствами полевого транзистора, толщина обедненной области которого зависит от напряжений сток-затвор и затвор-исток. В усовершенствованной схеме, показанной на Рисунке 1, полевой транзистор используется как часть петли обратной связи.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Усовершенствованная схема управления усилением на основе МОП транзистора
Рисунок 1. Сопротивление сток-исток полевого
транзистора управляет усилением каскада
на операционном усилителе.

В этой конфигурации напряжение на транзисторе ограничено, поэтому схема имеет достаточно хорошие шумовые параметры. Дополнительным бонусом оказывается улучшение линейности. Передаточная функция усовершенствованной схемы описывается следующим выражением [1]:

Если R2 + R3 = R1 и R4 = RDS (сопротивление сток-исток транзистора), передаточная функция упрощается до следующего вида:

Минимальное сопротивление сток-исток для выбранного полевого транзистора J271 равно 76 Ом при напряжении затвор-исток VGS = 0 В. Фактическое значение напряжения сток-исток VDS, с которого начинаются искажения, зависит от конкретного экземпляра транзистора, но из практики следует, что, как правило, достаточно, чтобы это напряжение было меньше 200 мВ. В схеме на Рисунке 1 напряжение сток-исток транзистора ограничено значением порядка 100 мВ. Выходное напряжение VDS делителя, образованного сопротивлениями R3 и RDS, вычисляется по следующей формуле:

Рассчитав R3 на основании этой формулы и получив 24.5 кОм, вы выбираете ближайшее стандартное значение 24 кОм. Максимальное усиление определяется величиной параллельного сопротивления резисторов R2 и R3. Выбор значения 3 кОм для резистора R2 дает R1 = 27 кОм; при этом максимальный коэффициент усиления равен –37. Усиление, измеренное в реальной схеме при VC = VGS = 0 В, оказалось равным –36.1, что достаточно хорошо соответствует расчетам. RA и RB – это резисторы обратной связи, линеаризующие зависимость RDS от VGS. Как правило, получить адекватную линеаризацию вы сможете с одинаковыми сопротивлениями резисторов, но, меняя их соотношение, вы дополнительно получаете возможность управления наклоном передаточной функции. Графики на Рисунке 2 демонстрируют влияние сопротивления RA на крутизну передаточной функции и диапазон управляющих напряжений (VGS). P-канальный полевой транзистор J271 управляется положительным напряжением, однако взяв эквивалентный n-канальный транзистор, такой например, как J210, вы сможете использовать отрицательное напряжение управления. Схема универсальна, недорога, и обеспечивает минимальные искажения, широкий динамический диапазон и хорошую линейность. Операционный усилитель TLC071 отличается низкими входными токами и имеет выводы коррекции напряжения смещения входа.

Усовершенствованная схема управления усилением на основе МОП транзистора
Рисунок 2. Отношение RA/RB задает наклон передаточной
функции схемы на Рисунке 1.

Ссылки

  1. Mancini, Ron, "Op amps for everyone," Texas Instruments, September 2000, pg 3.

Материалы по теме

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Improve FET-based gain control

37 предложений от 24 поставщиков
ЧИП-конденсатор танталовый 3.3мкФ 25В типоразмер C ±10% (6х3.2х2.5мм) SMD 6032-28 2.5Ом 125°С автомобильного применения лента на катушке
Akcel
Весь мир
TLC071CDGNR
Texas Instruments
от 16 ₽
TLC071IDGN
Texas Instruments
17 ₽
Триема
Россия
T491C335K025AT
Kemet
36 ₽
EIS Components
Весь мир
TLC071CDR
Texas Instruments
40 ₽
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя
Фрагменты обсуждения:Полный вариант обсуждения »
  • Транзисторы J271, J210 не МОП (англ. MOS) структуры, а J FET. Ошибка переводчика.
  • Спасибо за справедливое замечание. Исправили.