Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheets - Полевые транзисторные сборки и модули NXP

Подраздел: "Полевые транзисторные сборки и модули"
Производитель: "NXP"
Найдено: 17 Вывод: 1-17

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet PMGD290XN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 0.86 А, SOT363
    Наименование модели: PMGD290XN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 0.86 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD290XN Dual N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET MBD128 Rev. 01 -- 26 February ...
  2. Datasheet PMGD400UN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.71 А, SOT363
    Наименование модели: PMGD400UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.71 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD400UN Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET MBD128 Rev. 01 -- 3 March 2004 ...
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. Datasheet PMGD370XN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.74 А, SOT363
    Наименование модели: PMGD370XN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.74 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD370XN Dual N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET MBD128 Rev. 01 -- 27 February ...
  2. Наименование модели: PMDPB65UP Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 3.5 А, SOT1118 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMDPB65UP 20 V, 3.5 A dual P-channel Trench MOSFET Rev. 2 -- 8 March 2011 Product data ...
  1. Datasheet PMWD30UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8
    Наименование модели: PMWD30UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMWD30UN Dual µTrenchMOSTM ultra low level FET M3D647 Rev. 01 -- 22 January 2003 Product data Спецификации: ...
  2. Datasheet PMWD19UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8
    Наименование модели: PMWD19UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMWD19UN Dual µTrenchMOSTM ultra low level FET Rev. 01 -- 20 December 2002 M3D647 Product data Спецификации: ...
  3. Datasheet PMWD16UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8
    Наименование модели: PMWD16UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMWD16UN Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET Rev. 02 -- 24 March 2005 Product data sheet 1. ...
  4. Datasheet PMWD15UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8
    Наименование модели: PMWD15UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMWD15UN Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET Rev. 04 -- 5 April 2005 Product data sheet 1. ...
  5. Datasheet PHKD6N02LT - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SO-8
    Наименование модели: PHKD6N02LT Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N, SO-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PHKD6N02LT Dual TrenchMOSTM logic level FET M3D315 Rev. 02 -- 12 August 2003 Product data Спецификации: ...
  6. Datasheet PMWD26UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8
    Наименование модели: PMWD26UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMWD26UN Dual N-channel µTrenchMOS ultra low level FET Rev. 02 -- 19 May 2005 Product data sheet 1. Product ...
  7. Datasheet PMGD8000LN - NXP Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SOT-363
    Наименование модели: PMGD8000LN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD8000LN Dual µTrenchMOSTM logic level FET MBD128 Rev. 01 -- 27 February 2003 Product data ...
  8. Datasheet PMGD780SN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 60 В, SOT363
    Наименование модели: PMGD780SN,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 60 В, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD780SN Dual N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 -- 19 April 2010 ...
  9. Datasheet PMGD400UN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 30 В, SOT363
    Наименование модели: PMGD400UN,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 30 В, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD400UN Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET MBD128 Rev. 01 -- 3 March ...
  10. Datasheet PMGD290XN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 20 В, SOT363
    Наименование модели: PMGD290XN,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 20 В, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD290XN Dual N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET MBD128 Rev. 01 -- 26 ...
  11. Datasheet PMGD280UN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 20 В, SOT363
    Наименование модели: PMGD280UN,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 20 В, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD280UN Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET MBD128 Rev. 01 -- 10 ...
  12. Datasheet PHN210T,118 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 30 В 3.4 А 8-SOIC
    Наименование модели: PHN210T,118 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор N-CH 30 В 3.4 А 8-SOIC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PHN210T Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 02 -- 15 December 2010 Product ...
  13. Datasheet PHC2300,118 - NXP Даташит Полевой транзистор, NP CH, 300 В, SOT96-1
    Наименование модели: PHC2300,118 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, NP CH, 300 В, SOT96-1 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO 8 PHC2300 Complementary enhancement mode MOS transistors Rev. 05 -- 24 February 2011 Product ...

Сортировать по: релевантность / дата

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России