NXP представляет чрезвычайно надежные мощные СВЧ транзисторы XR LDMOS

Новое семейство транзисторов XR имеет лучшие в своем классе надежность и рабочие характеристики при обычной цене

Компания NXP Semiconductors представила свое новое семейство XR («eXtremely Rugged» – чрезвычайно надежных) мощных СВЧ LDMOS транзисторов, предназначенных для самых требовательных инженерных решений. Высокопрочная конструкция транзисторов семейства XR обеспечивает их безотказную работу в жестких условиях, которые часто встречаются в промышленных лазерах, при травлении металлов или сверлении бетона. Семейство XR, созданное на базе лучшей в отрасли технологии LDMOS компании NXP, способствует проникновению этой технологии в те области, где до сих пор использовались транзисторы VDMOS и биполярные транзисторы.

Внезапные и сильные возмущения нагрузки – обычное явление для некоторых силовых СВЧ приложений. Мощные СВЧ транзисторы должны преодолевать их без отказа или ухудшения характеристик на протяжении многолетней интенсивной эксплуатации. Подобные возмущения воспроизводят в лабораторных условиях, создавая на стороне нагрузки вынужденные рассогласования, степень которых характеризуется коэффициентом стоячей волны по напряжению (КСВН). В большинстве приложений для базовых и вещательных станций требуются надежные силовые СВЧ транзисторы, выдерживающие КСВН 10:1 по всем фазам, тогда как чрезвычайно надежный транзистор BLF578XR легко переносит повторяющиеся тесты с КСВН 125:1 – это наивысший уровень, который способно измерить тестовое оборудование. Данная характеристика особенно важна для отдельных ISM-приложений, которым необходим мощный СВЧ транзистор, прошедший тесты с КСВН более 100:1.

Новый транзистор BLF578XR является чрезвычайно надежной версией популярного мощного СВЧ транзистора NXP BLF578, основного элемента различных широковещательных и ISM-приложений. В большинстве случаев транзистор BLF578XR можно будет легко использовать в качестве замены транзистора BLF578.

Технические характеристики

Мощный транзистор BLF578XR c технологией LDMOS – самой эффективной технологией компании NXP, предназначен для приложений, которым требуется исключительно высокая надежность.

• Частотный диапазон: от 0 до 500 МГц
• Коэффициент усиления: 24 дБ при 225 МГц
• Эффективность: 70% при 225 МГц
• КСВН: 125:1 при мощности 1200 Вт по всем фазам
• Пиковая выходная мощность: 1400 Вт (в импульсном режиме)
• Улучшенные тепловые характеристики: 0.14 K/Вт

Наличие

Образцы мощных транзисторов NXP BLF578XR имеются в наличии уже сегодня, их массовые отгрузки начнутся в III квартале 2011 года.